收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管UT3055L-TN3-R参数

场效应MOS管UT3055L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.07ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    UT3055L-TN3-R是一种常用的MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子设备中。以下将从应用场景和参数特点两个方面详细展开。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:UT3055L-TN3-R在电源管理系统中被广泛使用。这类MOSFET通常用于直流-直流转换器和稳压电源,以确保高效的能量转换和稳定的输出电压。由于其低导通电阻和高电流处理能力,UT3055L-TN3-R能够有效减少能量损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电机驱动控制:在电机控制应用中,UT3055L-TN3-R可以作为开关器件使用,用于控制电机的启动、停止和调速。其高电流承受能力和快速开关特性使其成为控制大功率电机的理想选择,从而实现精确的电机控制和高效的能量利用。

    3. 消费电子设备:UT3055L-TN3-R还被广泛应用于消费电子设备,如智能手机、笔记本电脑和平板电脑等。这些设备需要高效的电源管理解决方案,以延长电池寿命并提高设备性能。UT3055L-TN3-R的低功耗特性使其非常适合这种应用。

    4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,UT3055L-TN3-R常用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电。这种应用需要高效率和高可靠性的MOSFET,以确保光伏系统的稳定运行和最大功率输出。

    5. 工业控制系统:UT3055L-TN3-R在工业控制系统中也有重要应用。这些系统通常需要高可靠性和耐用性的电子元件,以应对苛刻的工业环境。UT3055L-TN3-R的坚固设计和高性能使其在工业控制应用中表现出色。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UT3055L-TN3-R具有极低的导通电阻(Rds(on)),这意味着在导通状态下其能量损耗非常小。这一特点在高效率电源管理和电机控制应用中尤为重要,因为它能显著提高系统的能量利用率。

    - 高电流承受能力:UT3055L-TN3-R能够处理高达55安培的连续电流,这使其适合大电流应用,如电机驱动和电源管理系统。这一高电流处理能力确保了设备在高负荷条件下的可靠运行。

    - 快速开关速度:UT3055L-TN3-R具有快速开关特性,能够在短时间内完成导通和关断。这一特点在需要快速响应的应用中,如高频开关电源和电机控制中非常有用,可以提高系统的响应速度和效率。

    - 高耐压能力:UT3055L-TN3-R的击穿电压(Vds)高达60伏,使其能够在高电压环境中稳定运行。这一高耐压能力使其适用于需要处理高电压的应用,如电源转换器和逆变器。

    - 热管理性能优越:UT3055L-TN3-R设计具有良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定工作。这一特点确保了MOSFET在高功率应用中的可靠性和长寿命,减少了因过热导致的故障风险。


    综上所述,UT3055L-TN3-R凭借其低导通电阻、高电流承受能力、快速开关速度、高耐压能力和优越的热管理性能,在多个领域中得到了广泛应用。其可靠的性能和多功能性使其成为许多电子设备和系统中的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号