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场效应MOS管UT2955L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:1WID最大漏源电流:-1.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.17ΩVRDS(ON)ld通态电流:-0.75AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-1000μA

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    UT2955L-TN3-R是一种常用的P沟道功率MOSFET,具有低电压、大电流的特点,广泛应用于各种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:UT2955L-TN3-R常用于开关电源的设计中,特别是DC-DC转换器中。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能的电源转换中表现出色,能有效减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 电动汽车控制器:在电动汽车的电池管理系统(BMS)和电动机控制器中,UT2955L-TN3-R由于其高可靠性和高效能,被广泛应用于电池的充放电控制以及电动机的驱动电路中。

    3. 照明控制:UT2955L-TN3-R适用于LED照明驱动电路中。其高效能和稳定性能够确保LED灯具在长时间工作中保持稳定的电流输出,从而延长LED的使用寿命。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,UT2955L-TN3-R用于功率转换部分。其高效率和低导通电阻特性能够大幅提高系统的整体效率,减少热量的产生。

    5. 充电设备:UT2955L-TN3-R还广泛应用于各种充电器和充电桩中,尤其是快速充电设备中。其大电流处理能力和低导通损耗,使得充电设备能够高效地将电能传输到电池中。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UT2955L-TN3-R的导通电阻(Rds(on))非常低,通常在毫欧级别。这使其在导通时的损耗很小,从而提高了电路的整体效率。

    - 高电流处理能力:UT2955L-TN3-R具有较高的电流处理能力,最大连续漏极电流可以达到数十安培。这使其适用于需要大电流传输的应用场景。

    - 高击穿电压:UT2955L-TN3-R的漏源极击穿电压(Vdss)较高,通常在30V以上。这使其能够在较高电压的应用中保持稳定的工作状态。

    - 快速开关速度:UT2955L-TN3-R具有较快的开关速度,开关时间通常在纳秒级别。这对于高频开关电路来说,是一个重要的优势,能够显著提高电路的工作频率和响应速度。

    - 可靠性高:UT2955L-TN3-R具有较高的可靠性和稳定性,能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行,减少了维护和更换的成本。

    综上所述,UT2955L-TN3-R作为一种高性能的P沟道功率MOSFET,在多种应用场景中都表现出色,具有低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和高可靠性等显著特点。这些特性使其成为各种电源管理和转换电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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