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场效应MOS管UT12N10L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:9WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UT12N10L-TN3-R是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,UT12N10L-TN3-R能提供低导通电阻和高开关速度,确保电源的高效稳定运行。

    2. 电机驱动器:适用于各种直流电机驱动器,UT12N10L-TN3-R能承受高电流和高电压,确保电机的可靠启动和运行。

    3. 电池保护电路:在锂电池保护电路中,UT12N10L-TN3-R能有效防止过充电、过放电和短路等情况,延长电池的使用寿命。

    4. 光伏逆变器:用于太阳能光伏逆变器系统中,UT12N10L-TN3-R能提高逆变器的转换效率和可靠性。

    5. 汽车电子:适用于汽车电子设备,如电动汽车的电池管理系统和车载充电器,UT12N10L-TN3-R提供高效能和可靠的工作性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UT12N10L-TN3-R的导通电阻极低,在最大电流下能有效减少功耗,提高系统效率。例如,其在10V VGS下的最大导通电阻仅为12毫欧姆。

    - 高耐压特性:UT12N10L-TN3-R具有100V的漏源极耐压(VDSS),适合用于高压应用场景,确保器件在高电压下稳定运行。

    - 大电流处理能力:UT12N10L-TN3-R能处理高达120A的连续漏极电流(ID),适用于高功率需求的电路设计。

    - 快速开关速度:具有低门极电荷(QG)和低延迟时间(td(on)、td(off)),UT12N10L-TN3-R提供极快的开关速度,使其在高频应用中表现出色。

    - 耐高温特性:UT12N10L-TN3-R的结温(TJ)最高可达175摄氏度,适应严苛的工作环境,确保在高温下稳定运行。

    综上所述,UT12N10L-TN3-R是一款高效能的功率MOSFET,其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力、快速开关速度和耐高温特性,使其成为各类高效电源管理、驱动和保护电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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