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场效应MOS管UP9T15GL-TN3-R参数

PD最大耗散功率:12.5WID最大漏源电流:12.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.5~1.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UP9T15GL-TN3-R是一种场效应MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET),其在电子电路中具有广泛的应用场景和独特的参数特点。本文将详细介绍UP9T15GL-TN3-R的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UP9T15GL-TN3-R在电源管理电路中扮演重要角色,尤其是在开关电源(Switching Power Supply)和DC-DC转换器中。由于其高效的开关特性和低导通电阻,能够有效降低能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,UP9T15GL-TN3-R经常用于控制电机的开关状态。其高电流承载能力和快速开关速度使其非常适合用于电机驱动系统,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。

    3. 电池管理系统:UP9T15GL-TN3-R在电池管理系统(Battery Management System, BMS)中用于电池保护和充放电控制。其高精度和可靠性能够确保电池的安全运行和延长电池寿命。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,UP9T15GL-TN3-R常用于输出级放大器。其优异的线性度和低失真特性,使其能够提供清晰、准确的音频输出。

    5. 通信设备:在无线通信设备和射频电路中,UP9T15GL-TN3-R用于射频信号的放大和切换。其高频性能和低噪声特性,能够提高通信设备的性能和信号质量。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UP9T15GL-TN3-R具有非常低的导通电阻,这意味着在导通状态下的电压降很小,从而减少了功率损耗和发热。这使得其在高效能电源管理和电机驱动应用中表现出色。

    - 高开关速度:UP9T15GL-TN3-R的开关速度非常快,能够在纳秒级别内完成导通和关断。这种特性在高频开关电路和射频应用中尤为重要,能够显著提高电路的整体性能。

    - 高电流承载能力:UP9T15GL-TN3-R能够承载较高的电流,这使其适用于需要大电流的应用场景,如电机驱动和大功率电源管理。

    - 耐高压特性:UP9T15GL-TN3-R具备较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作。这使得其在需要高可靠性的工业控制和汽车电子等领域得以广泛应用。

    - 低栅极电荷(Qg):UP9T15GL-TN3-R具有较低的栅极电荷,意味着其在开关过程中所需的驱动电流较小,能够降低驱动电路的复杂度和能耗。

    综上所述,UP9T15GL-TN3-R凭借其独特的参数特点和广泛的应用场景,成为现代电子电路设计中不可或缺的重要器件。无论是在电源管理、电机驱动,还是在电池管理、音频放大和通信设备中,UP9T15GL-TN3-R都展现出了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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