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场效应MOS管UFZ34L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:68WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UFZ34L-TN3-R是一款广泛应用于电子领域的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UFZ34L-TN3-R在各种电源管理电路中,被用作开关元件,用于控制电源的通断,提高能效,减少能量损耗。

    2. 电动汽车:随着电动汽车市场的不断扩大,UFZ34L-TN3-R被广泛用于电动汽车的电池管理系统和电机控制系统。其高效率和高可靠性有助于提升电动汽车的整体性能。

    3. 太阳能发电系统:在太阳能发电领域,UFZ34L-TN3-R用于逆变器和充电控制器,通过高效的开关特性,优化能源转换效率。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,UFZ34L-TN3-R用于控制电机、传感器和其他自动化组件,确保系统运行的稳定性和精确性。

    5. 消费电子:例如智能手机、笔记本电脑和智能家居设备中,UFZ34L-TN3-R用于电源管理和电路保护,确保设备的安全和高效运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UFZ34L-TN3-R的导通电阻非常低,这意味着在工作时电流通过时产生的损耗极小,有助于提高整体电路的效率。这一特点在需要高效率的应用场景中尤为重要。

    - 高电流处理能力:UFZ34L-TN3-R能够处理较高的电流负载,最大连续漏极电流可达到30A。这使其适用于需要处理大电流的应用,如电动汽车和工业设备。

    - 高击穿电压(VDS):该型号的MOSFET具有55V的高击穿电压,这使其能够在较高电压环境下稳定工作,增加了其应用的广泛性和可靠性。

    - 快速开关速度:UFZ34L-TN3-R具备极快的开关速度,使其能够迅速响应电路中的控制信号,提升整个系统的响应时间和效率。这一特性在需要精确控制的电子设备中尤为重要。

    - 可靠性和耐用性:UFZ34L-TN3-R采用先进的制造工艺,具有优异的热管理性能和长期的可靠性,能够在苛刻的环境下长期稳定运行。这对于工业应用和汽车应用尤为关键。

    通过对UFZ34L-TN3-R应用场景和参数特点的详细分析,可以看出该型号的MOSFET在电源管理、电动汽车、太阳能发电、工业自动化和消费电子等领域中具有广泛的应用前景和卓越的性能优势。其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和高可靠性使其成为各类高性能电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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