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场效应MOS管UF5N15ZL-TN3-R参数

PD最大耗散功率:54WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:1.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UF5N15ZL-TN3-R是一种场效应MOS管,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UF5N15ZL-TN3-R常用于开关电源和直流-直流转换器(DC-DC converter)中。在这些应用中,MOS管起到开关作用,通过快速切换实现电能的高效转换,降低能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,UF5N15ZL-TN3-R用于控制电机的启动和停止以及调节转速。由于其低导通电阻和高开关速度,使其能够快速响应控制信号,提高电机控制的精度和效率。

    3. 照明系统:在LED照明驱动电路中,UF5N15ZL-TN3-R被用来调节电流,确保LED稳定工作。MOS管的高效率和稳定性能够延长LED灯具的使用寿命,并提供更好的照明效果。

    4. 音频放大器:在音频放大器中,UF5N15ZL-TN3-R可以用作功率放大器的输出级,提供大电流驱动能力和高效率,保证音频信号的高保真输出,提升音质。

    5. 自动化控制系统:UF5N15ZL-TN3-R也广泛应用于工业自动化控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和工厂自动化设备中,用于各种开关和控制应用,提高系统的可靠性和响应速度。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UF5N15ZL-TN3-R具有极低的导通电阻,这意味着在工作时产生的功耗较低,提升了整体系统的效率。低导通电阻使其在高电流应用中表现出色,减少了热损耗。

    - 高击穿电压(VBR):UF5N15ZL-TN3-R具有较高的击穿电压,通常在150V左右,使其能够在高电压环境下可靠工作,不易发生击穿失效,适用于需要高电压耐受能力的应用场合。

    - 快速开关速度:UF5N15ZL-TN3-R具有极快的开关速度,这对于需要快速响应的电路设计,如开关电源和电机驱动电路,非常重要。快速开关速度能够减少开关损耗,提升整体系统的效率。

    - 高功率密度:UF5N15ZL-TN3-R能够在较小的封装中提供高功率输出,这有助于减少电路板的尺寸和重量,适合对空间要求较高的便携式设备和小型化电子产品。

    - 可靠性和耐久性:UF5N15ZL-TN3-R采用了先进的制造工艺和材料,保证了其在长期工作中的可靠性和稳定性。其耐高温和耐电流冲击的特点使其在严苛的工作环境下仍能保持良好的性能。

    综上所述,UF5N15ZL-TN3-R作为一种性能优异的场效应MOS管,在电源管理、电机驱动、照明系统、音频放大器和自动化控制系统等多个领域有着广泛的应用,并且凭借其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、高功率密度和高可靠性等参数特点,成为这些应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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