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场效应MOS管UF5305L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:-31AV(BR)DSS漏源击穿电压:-55VRDS(ON)Ω内阻:0.06ΩVRDS(ON)ld通态电流:-16AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UF5305L-TN3-R是一种常用于各种应用场景的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其参数特点也非常值得详细讨论。以下是关于UF5305L-TN3-R的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UF5305L-TN3-R在电源管理系统中非常常见,特别是在DC-DC转换器和开关电源中。由于其低导通电阻和高开关速度,UF5305L-TN3-R能够有效地减少能量损耗,提高系统的效率。因此,它适用于需要高效能量转换的应用,如笔记本电脑、电动工具和便携式设备。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,UF5305L-TN3-R经常被用于H桥电路中,用于控制电机的方向和速度。其高电流承载能力和低饱和电压使其成为电动汽车、电动自行车和工业自动化设备中的理想选择。

    3. 太阳能逆变器:由于其高效率和耐高温特性,UF5305L-TN3-R适用于太阳能逆变器。太阳能系统需要在各种环境下稳定运行,UF5305L-TN3-R的性能能够保证系统的稳定性和可靠性,使其成为太阳能发电系统中的关键组件。

    4. 照明系统:在LED驱动和照明控制应用中,UF5305L-TN3-R也得到了广泛应用。其高开关速度和低热阻特性可以有效降低功耗,提高系统的可靠性和使用寿命,特别适用于智能照明系统和工业照明设备。

    5. 汽车电子:UF5305L-TN3-R由于其耐高温和高可靠性的特点,被广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电器、电源分配单元和电池管理系统。其高效能和可靠性能够满足汽车行业对电子元件的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UF5305L-TN3-R具有极低的导通电阻(R_DS(on)),典型值为0.045欧姆。这意味着在开通状态下,电流通过晶体管时的能量损耗非常低,从而提高了整个电路的效率,尤其适用于高效电源管理和转换应用。

    - 高电流承载能力:UF5305L-TN3-R的最大连续漏极电流(I_D)为36A,这使得它能够处理高电流应用,适用于大功率电机驱动和电源管理系统中。其高电流承载能力确保了系统在高负载情况下的稳定运行。

    - 耐高压特性:该MOSFET的最大漏源电压(V_DS)为55V,这使得UF5305L-TN3-R能够在高电压环境中稳定运行,适用于需要高压操作的应用,如太阳能逆变器和电动汽车系统。

    - 快速开关速度:UF5305L-TN3-R具有快速的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为10ns和45ns。快速的开关速度有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率,尤其适用于高频开关电路。

    - 热性能优越:UF5305L-TN3-R的热阻(R_thJC)典型值为1.25°C/W,意味着它具有良好的散热性能,能够在高功率应用中有效地管理热量。这使得该器件在长时间高负荷运行时依然保持稳定可靠,特别适合严苛的工业和汽车应用。

    综上所述,UF5305L-TN3-R是一款高性能的MOSFET,在多个领域中都有广泛的应用。其高效能和可靠性使其成为许多高性能系统中的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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