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场效应MOS管SUD50N03-12P参数

PD最大耗散功率:46.8WID最大漏源电流:17.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SUD50N03-12P是一种常用于各种电子设备中的N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛,主要包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)和直流-直流(DC-DC)转换器中,SUD50N03-12P常被用作开关元件。由于其低导通电阻和快速开关特性,使得它能够在高效能和低功耗方面表现出色。

    2. 电动机驱动:在电动机控制电路中,SUD50N03-12P能够高效地控制电流,提供稳定的功率输出,适用于电动工具、电动车和家用电器等领域。

    3. 电池保护电路:在锂电池管理系统中,SUD50N03-12P用于电池的充放电保护,确保电池在安全范围内工作,防止过充和过放电现象的发生。

    4. 负载开关:SUD50N03-12P在电子设备中也常用作负载开关,控制不同功能模块的电源连接与断开,提高系统的可靠性和寿命。

    5. 逆变器:在太阳能和风能系统中的逆变器中,SUD50N03-12P能够高效地转换直流电为交流电,提升系统的能源转换效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):SUD50N03-12P的导通电阻极低,这意味着在相同的电流下,它产生的热量更少,提高了器件的效率和耐用性。

    - 高开关速度:SUD50N03-12P具备快速的开关特性,能够在高频率下工作,减少开关损耗,非常适合用于高效的开关电源和转换器。

    - 高电流能力:该器件能够承受较大的电流,通过其精心设计的内部结构,提供强大的电流处理能力,适用于需要大电流驱动的应用。

    - 耐压能力:SUD50N03-12P的漏源极电压(VDS)为30V,适用于中低压应用,同时其栅极电压(VGS)范围为±20V,能够适应多种驱动电路。

    - 热性能优越:SUD50N03-12P的热阻低,有助于在高功率应用中散热,确保器件在高温条件下仍能稳定工作。

    通过以上的应用场景和参数特点介绍,可以看出SUD50N03-12P在各种电子设备中表现出色,是一款性能优异且应用广泛的功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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