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场效应MOS管SUD42N03-3m9P参数

PD最大耗散功率:73.5WID最大漏源电流:107AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0039ΩVRDS(ON)ld通态电流:22AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SUD42N03-3m9P是一款N沟道MOSFET,其应用场景和参数特点使其在许多电子设备中广泛使用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点,以便更好地理解这款MOSFET的性能和用途。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:SUD42N03-3m9P在开关电源中非常常见。它作为开关元件,用于控制电源的通断,从而实现对电压和电流的精准控制。由于其低导通电阻和高电流承载能力,这款MOSFET在高效能和高功率密度的开关电源中表现出色。

    2. 电动工具:电动工具需要强大的驱动电路来保证电机的高效运行。SUD42N03-3m9P凭借其高脉冲电流处理能力和可靠性,成为电动工具电路中的理想选择,能够在恶劣的工作环境中提供稳定的性能。

    3. 电机控制:在电机控制应用中,如无刷直流电机(BLDC)控制器,SUD42N03-3m9P发挥关键作用。其快速开关速度和低损耗特性,使其能够有效地驱动电机,提高系统的效率和响应速度。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统(BMS)中,SUD42N03-3m9P用于管理电池的充放电过程。其低导通电阻和高可靠性确保了电池的安全性和长寿命,同时还能提高整个系统的效率。

    5. 汽车电子:汽车电子中对元件的耐用性和性能要求极高。SUD42N03-3m9P适用于各种汽车电子应用,包括电动窗、座椅调节和灯光控制等,能够提供稳定的性能和长久的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:SUD42N03-3m9P的典型导通电阻为3.9毫欧,这使其在导通状态下具有极低的功耗,适合高效能应用场景。这一特点使得电流通过时的能量损耗降至最低,提高了整体系统的效率。

    - 高脉冲电流处理能力:该MOSFET能够处理高达42A的连续电流和更高的脉冲电流,这使其在需要大电流驱动的应用中非常适用,如电机控制和电源管理。

    - 高击穿电压:SUD42N03-3m9P具有30V的击穿电压,适用于需要耐高压的电路设计。这一特性保证了其在高电压应用中的安全性和可靠性。

    - 快速开关速度:该MOSFET具有快速的开关速度,典型的开关时间为纳秒级。这一特点使得其在高频应用中表现优异,如开关电源和高频信号处理电路。

    - 低栅极电荷:SUD42N03-3m9P的典型栅极电荷为42nC,这意味着其在切换状态时所需的能量较少,从而减少了驱动电路的复杂性和功耗。

    综上所述,SUD42N03-3m9P凭借其低导通电阻、高脉冲电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和低栅极电荷等参数特点,在众多应用场景中展现出了卓越的性能和可靠性,是一款非常优秀的N沟道MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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