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场效应MOS管SUD08P06-155L-GE3参数

PD最大耗散功率:20.8WID最大漏源电流:-8.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.155ΩVRDS(ON)ld通态电流:-5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    SUD08P06-155L-GE3是一种广泛应用于电源管理和切换电路中的N沟道MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SUD08P06-155L-GE3常用于电源管理电路中,例如开关电源和直流-直流转换器。这是因为它具有低导通电阻和高效的开关特性,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,SUD08P06-155L-GE3被用于控制电机的开关和调速。这种MOSFET能够提供高电流能力,确保电机在高负载下仍能稳定运行。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,SUD08P06-155L-GE3被用作保护和开关元件。它能在检测到过载或短路时快速断开电路,从而保护电池和其他重要元件。

    4. 通信设备:通信设备中的射频和信号处理电路也常常使用SUD08P06-155L-GE3。其快速的开关速度和低损耗特性使其成为高频应用的理想选择。

    5. 消费电子:在如笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,SUD08P06-155L-GE3用于各种电源管理和电源分配电路中,确保设备的高效和稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:SUD08P06-155L-GE3的导通电阻(RDS(on))非常低,仅为0.155Ω(最大值)。这使其在导通状态下具有极低的功率损耗,提高了整体电路的效率。

    - 高电流能力:SUD08P06-155L-GE3能够承载高达60A的连续漏极电流(ID),这使其适合高功率应用,能够在大电流条件下稳定工作。

    - 高耐压能力:SUD08P06-155L-GE3具有60V的漏源极电压(VDS)耐受能力,适用于多种电压范围的应用,确保电路在高压条件下的安全性和可靠性。

    - 快速开关速度:SUD08P06-155L-GE3的开关速度非常快,其典型开关时间仅为几纳秒。这样的特性使其在高频应用中表现出色,减少了开关损耗和电磁干扰。

    - 封装形式:SUD08P06-155L-GE3采用了标准的TO-252封装,这种封装形式不仅有助于热量管理,还易于安装和替换,适合各种PCB设计需求。

    综上所述,SUD08P06-155L-GE3凭借其优异的性能参数和广泛的应用场景,成为了电源管理、电机驱动、电池管理系统、通信设备以及消费电子等领域的理想选择。这款MOSFET不仅能够提高系统效率,还能确保电路的稳定性和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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