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场效应MOS管SUD06N10-225L-GE3参数

PD最大耗散功率:16.7WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    SUD06N10-225L-GE3是一种N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:SUD06N10-225L-GE3广泛应用于各种电源管理系统中,尤其是直流-直流转换器(DC-DC转换器)和开关电源(SMPS)。它的高效能和低导通电阻使其在这些系统中能够实现高效的电能转换,减少能量损耗,从而提高整体系统的效率。

    2. 汽车电子:在汽车电子领域,SUD06N10-225L-GE3被用作电机驱动器、点火系统和其他需要高可靠性和高效率的电子模块。其优良的热性能和耐高温特性使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。

    3. 工业控制:SUD06N10-225L-GE3适用于工业控制设备,如电机控制器、变频器和机器人控制系统。其快速开关速度和高可靠性确保了工业设备的高效运行和长时间稳定工作。

    4. 消费电子:在消费电子领域,SUD06N10-225L-GE3被应用于电池管理系统、便携式设备和家用电器中。其小型化封装和高效能特性使其在这些应用中具有优势。

    5. 可再生能源:在太阳能和风能等可再生能源系统中,SUD06N10-225L-GE3用作逆变器和电源优化器中的关键元件。其高效能和高可靠性有助于提高可再生能源系统的整体效率和稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):SUD06N10-225L-GE3的典型导通电阻非常低,仅为6毫欧。这意味着在导通状态下,MOSFET的功率损耗极小,有助于提高整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:该型号具有高达225A的脉冲电流能力,能够应对突发的高电流需求。这对于电源管理和电机控制等需要处理瞬时大电流的应用尤为重要。

    - 优良的热性能:SUD06N10-225L-GE3具有良好的热性能,允许在较高的结温下工作。其热阻低,有助于在高功率应用中保持器件的稳定性和可靠性。

    - 快速开关速度:该型号的开关速度非常快,能够在纳秒级别完成开关动作。这对于需要高频开关的应用,如DC-DC转换器和逆变器,具有显著的优势。

    - 小型封装:SUD06N10-225L-GE3采用紧凑的PowerPAK SO-8封装形式,这不仅节省了电路板空间,还提升了热性能和电气性能。紧凑的封装有助于设计更加小型化和高效的电子产品。

    综上所述,SUD06N10-225L-GE3凭借其低导通电阻、高脉冲电流能力、优良的热性能、快速开关速度和小型封装,在多个领域中展现出了卓越的性能和广泛的应用潜力。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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