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场效应MOS管STY139N65M5参数

PD最大耗散功率:625WID最大漏源电流:130AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.017ΩVRDS(ON)ld通态电流:65AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STY139N65M5是一种高性能功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STY139N65M5在开关电源中扮演重要角色,特别是在高效率和高可靠性要求的场合。其低导通电阻和快速切换能力,使其非常适合于DC-DC转换器和AC-DC电源中,提供稳定的电力输出。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,STY139N65M5用于驱动各种类型的电机,如直流无刷电机、步进电机和交流电机。它的高电流承载能力和耐高压特性,确保了电机的高效运转和长寿命。

    3. 逆变器:逆变器是将直流电转换为交流电的重要设备,STY139N65M5常用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)系统中。其高开关频率和低损耗特性,使逆变器能更高效地工作,从而提高整体系统的能效。

    4. 汽车电子:随着汽车电子化程度的提高,STY139N65M5被广泛应用于各种汽车电子系统中,如电动汽车的电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统。其高可靠性和耐高温特性,确保了在复杂的汽车环境中稳定运行。

    5. 工业控制:STY139N65M5在工业控制领域也有广泛应用,特别是在机器人控制、PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中。其高精度和快速响应能力,使得工业设备能实现更精细和高效的控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STY139N65M5的导通电阻非常低,这意味着在工作时损耗的能量较少,提高了整体系统的效率。例如,其RDS(on)典型值为0.075欧姆,在较高电流下仍能保持低损耗。

    - 高击穿电压:该器件的击穿电压为650V,这使得它在高压应用中表现出色,能承受更高的电压而不会被击穿,适合各种高压环境下的应用。

    - 快速切换速度:STY139N65M5具备快速的开关速度,这对于高频开关电源和逆变器应用尤为重要。其典型的开关时间在纳秒级,确保了快速响应和高效率。

    - 高电流承载能力:STY139N65M5的最大持续漏电流可达139A,这意味着它可以在高功率应用中提供强劲的电流支持,适合驱动大功率设备。

    - 耐高温特性:该器件的工作结温范围广,从-55°C到150°C,这使得它能在极端温度环境下稳定运行,适应各种恶劣工作条件。

    综上所述,STY139N65M5凭借其低导通电阻、高击穿电压、快速切换速度、高电流承载能力和耐高温特性,成为了开关电源、电机控制、逆变器、汽车电子和工业控制等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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