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场效应MOS管STW56N65DM2参数

PD最大耗散功率:360WID最大漏源电流:48AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.065ΩVRDS(ON)ld通态电流:24AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW56N65DM2是一款高性能的N沟道功率MOSFET,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STW56N65DM2广泛用于各种电源管理系统,包括开关电源和直流-直流转换器。由于其高效率和低导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统整体效率。

    2. 电机控制:在电动汽车、工业自动化和家电中的电机控制系统中,STW56N65DM2可以提供高效的开关性能和可靠的电流承载能力,从而实现精确的电机速度和扭矩控制。

    3. 逆变器和UPS:STW56N65DM2适用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统。其高电压和高电流处理能力使其能够在这些设备中提供稳定的电源转换和高效的能量传输。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,STW56N65DM2能够提供高线性度和低失真率,确保音频输出的纯净度和清晰度。

    5. 照明系统:STW56N65DM2还适用于LED照明系统,尤其是需要高效驱动和调光功能的场合。其高开关速度和低导通电阻有助于提高整体系统效率,延长LED寿命。

    二、参数特点:

    1. 高电压耐受性:STW56N65DM2具有高达650V的耐压能力,能够在高电压应用中安全运行。这使其在工业和消费类电子设备中非常适用。

    2. 低导通电阻:该器件的导通电阻(R_DS(on))低至56mΩ,意味着在导通状态下损耗较低,有助于提高整体效率并减少热量产生。

    3. 高电流能力:STW56N65DM2的连续漏极电流(I_D)高达56A,能够在高电流应用中提供稳定的性能。这对于需要大电流驱动的系统来说是一个重要优势。

    4. 快恢复时间:其体二极管的反向恢复时间(T_rr)较短,能够在高频开关应用中减少开关损耗,提高效率。

    5. 强大的热性能:STW56N65DM2具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其最大结温可达175°C,具有较高的热稳定性和可靠性。

    综上所述,STW56N65DM2凭借其高电压耐受性、低导通电阻、高电流能力、快恢复时间和强大的热性能,广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器和UPS、音频放大器以及照明系统等多个领域。这些特点使其成为一个高效、可靠的选择,满足各种高性能需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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