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场效应MOS管STW33N60DM2参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:26AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.125ΩVRDS(ON)ld通态电流:13AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW33N60DM2是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW33N60DM2在开关电源中广泛使用,尤其是在高效和高功率密度的设计中。其低导通电阻和快速开关特性使其成为DC-DC和AC-DC转换器中的理想选择。

    2. 逆变器:在太阳能和风能发电系统中,STW33N60DM2常用于逆变器模块。这些逆变器将直流电转换为交流电,为家庭和工业应用提供可再生能源。

    3. 电机驱动器:STW33N60DM2适用于工业和消费类应用中的电机驱动器,提供高效率和可靠的性能。在电动工具、电动车辆和工业自动化设备中,该器件能够有效地控制电机的启动和运行。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STW33N60DM2用于能量转换和分配,确保在电源故障时提供稳定的电力供应。其高耐压和高效率特性,使其在关键系统中具有重要地位。

    5. 照明控制系统:STW33N60DM2也用于LED驱动和其他照明控制应用。其快速开关能力和低功耗特点,使其在高效节能的照明解决方案中得到广泛应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STW33N60DM2的导通电阻非常低,通常在满负载下仅为33毫欧(mΩ)。这意味着在导通状态下,功率损耗较低,提升了整体效率。

    - 高击穿电压:STW33N60DM2具有高达600伏(V)的击穿电压,能够在高电压环境下安全工作。这使其在高压应用中非常适用,如电源转换器和工业控制系统。

    - 快速开关速度:STW33N60DM2的开关速度非常快,这对于需要高频切换的应用尤为重要。其快速的开关特性有助于降低开关损耗,提高系统的效率和可靠性。

    - 高电流能力:该器件能够承受高达33安培(A)的连续电流,这使其适用于需要高电流处理能力的应用场景,如电机驱动和逆变器。

    - 封装形式:STW33N60DM2采用了TO-247封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,能够在高功率应用中提供可靠的热管理解决方案。

    综上所述,STW33N60DM2以其卓越的电气性能和可靠性,在多个高要求应用领域中展现了其独特的优势。无论是在开关电源、逆变器还是照明控制系统中,STW33N60DM2都能够提供高效和可靠的性能保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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