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场效应MOS管STW21NM60ND参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.22ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW21NM60ND是一款基于先进的MOSFET技术设计的功率晶体管,广泛应用于各种高性能电力电子设备。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STW21NM60ND在开关电源中广泛应用,特别是高效率、高频率的开关电源设计中。其低导通电阻和高耐压特性使得它在转换效率和稳定性方面表现出色。

    2. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器中,STW21NM60ND凭借其快速开关特性和低功耗,能够提高系统的整体性能和可靠性,适用于太阳能逆变器和风力发电变频器等设备。

    3. 电动汽车:在电动汽车的电机控制系统中,STW21NM60ND被用来提升电能转换效率和减少发热,提高整车的续航能力和可靠性。

    4. 电池管理系统:STW21NM60ND在电池管理系统中起到关键作用,能够在电池充放电过程中提供高效的电能控制,确保电池的安全和长寿命。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STW21NM60ND用于驱动电机和控制高功率设备,其高耐压和高效率特性,确保系统的高效运行和稳定性。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STW21NM60ND的漏源极耐压为600V,使其能够适应高压环境下的应用需求,提供可靠的高压开关功能。

    - 导通电阻:该型号的导通电阻非常低,仅为0.19Ω(最大值),这有助于减少导通损耗,提高整体效率。

    - 电流承载能力:STW21NM60ND的连续漏极电流能力为20A,这使其适用于需要大电流处理的场景,如电动汽车和工业设备。

    - 开关速度:它具有快速的开关特性,典型的开关时间为数纳秒级别,适合高频应用,能够大大提高电能转换效率。

    - 封装形式:STW21NM60ND采用TO-247封装形式,这种封装形式具有优良的散热性能和机械强度,适合高功率、高可靠性应用。

    综上所述,STW21NM60ND是一款性能优异的MOSFET功率晶体管,其在开关电源、逆变器、电动汽车、电池管理系统和工业自动化等多个领域中都有广泛应用。其高耐压、低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,使其成为众多高性能电力电子设备的首选组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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