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场效应MOS管STW20NM60FD参数

PD最大耗散功率:192WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW20NM60FD是一款来自意法半导体(STMicroelectronics)的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力应用场景。以下将详细介绍STW20NM60FD的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STW20NM60FD常用于开关电源中,尤其是在高效能和高频率要求的电路设计中。它的高击穿电压和低导通电阻使其能够有效地管理和转换电能,提供稳定的输出电压和电流。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STW20NM60FD的高电流能力和快速开关特性非常适合用来驱动直流电机和步进电机。这使得它广泛应用于工业自动化和家电产品中,如洗衣机、电冰箱和空调等。

    3. 电池管理系统(BMS):STW20NM60FD在电池管理系统中也有重要应用。其高效能和可靠性使其能够在电池充放电过程中提供稳定的电流控制,保护电池免受过流、过压和过热等损害,延长电池寿命。

    4. 光伏逆变器:在光伏系统中,STW20NM60FD用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效能和耐高压特性使其能够在高功率和高频率环境下稳定工作,提高系统的整体效率。

    5. 不间断电源(UPS):STW20NM60FD在不间断电源系统中也被广泛应用。其快速响应和高效能特性确保了在电源中断时能够迅速切换到备用电源,保证设备的连续运行。

    二、参数特点:

    - 击穿电压:STW20NM60FD的击穿电压为600V,确保其能够在高电压环境下稳定运行。这一特性使其适合用于高压电源和电力转换系统。

    - 导通电阻:该型号的导通电阻仅为0.19Ω(最大值),这意味着在导通状态下具有较低的能量损耗和发热量,提高了整体电路的效率和可靠性。

    - 电流能力:STW20NM60FD具有高达20A的连续漏极电流能力,适合用于高电流需求的应用场景,如电机驱动和电源转换等。

    - 开关特性:其快速开关特性使STW20NM60FD能够在高频率电路中高效工作,减少开关损耗,提高系统的工作效率。

    - 封装类型:STW20NM60FD采用TO-247封装,具有良好的热性能和机械强度,适用于各种工业和商业应用环境。该封装形式还便于散热管理,确保器件在高功率工作条件下的稳定性。

    综上所述,STW20NM60FD凭借其优异的电气特性和可靠性,成为许多高效能电力转换和控制系统中的关键元件。其广泛的应用场景和独特的参数特点,使其在电力电子领域中占据重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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