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场效应MOS管STW20NM50FD参数

PD最大耗散功率:214WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW20NM50FD是一款高压功率MOSFET,广泛应用于各类需要高效、稳定功率管理的场景。本文将详细介绍STW20NM50FD的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STW20NM50FD在开关电源和直流-直流转换器中应用广泛。这类电源设备需要高效的功率转换和低导通损耗,STW20NM50FD凭借其低导通电阻和快速开关特性,可以有效提高电源的效率和可靠性。

    2. 电动汽车:随着电动汽车的普及,功率MOSFET在电机驱动和电池管理系统中的应用越来越多。STW20NM50FD能够在高电压、大电流环境下稳定工作,是电动汽车电力传输系统中的理想选择。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,电机控制是一个重要应用领域。STW20NM50FD的高耐压和高开关速度使其在工业控制系统中表现出色,能够承受复杂工作环境下的负载变化,确保设备的稳定运行。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的直流到交流电的转换,以最大化太阳能板的能量输出。STW20NM50FD凭借其优异的功率处理能力和热管理特性,成为太阳能逆变器中的重要组件,帮助提高能源转换效率。

    5. 电信设备:现代电信设备需要高效的电力供应以支持高速数据传输和长时间稳定运行。STW20NM50FD在电信电源系统中的应用,可以确保设备在高负荷情况下的稳定供电,减少因电力问题导致的通信中断。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STW20NM50FD的导通电阻低至0.18欧姆,这意味着在同样的电流下,它能够显著减少功耗,提升设备的整体效率。这对于需要长时间高效工作的应用场景尤为重要。

    - 高耐压能力:STW20NM50FD具有500V的高耐压能力,适用于高压环境下的各种应用。这一特性使其在工业控制和电力传输系统中具有广泛的应用前景。

    - 快速开关速度:STW20NM50FD的开关速度极快,典型的开关时间在纳秒级别。这种快速的开关能力能够减少开关损耗,提高整体系统的效率,特别适用于高频开关电源和逆变器中。

    - 优良的热管理特性:STW20NM50FD具备良好的热管理特性,能够在高温环境下稳定工作。这一特性在需要高功率密度的应用中尤为重要,如电动汽车和太阳能逆变器。

    - 增强的雪崩耐受能力:STW20NM50FD具有增强的雪崩耐受能力,能够在极端电压变化下保护器件不受损坏。这一特点在电力不稳定或突发高压环境中非常关键,确保了设备的可靠性和寿命。

    通过以上详细的介绍,可以看出STW20NM50FD凭借其出色的性能和广泛的应用场景,在现代电子设备中发挥着不可或缺的作用。其低导通电阻、高耐压、高开关速度、良好的热管理特性以及增强的雪崩耐受能力,使得STW20NM50FD成为众多电力电子应用中的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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