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场效应MOS管STW15NM60ND参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.299ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STW15NM60ND是一种具备高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,STW15NM60ND由于其低导通电阻和高开关速度,非常适合用于DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。这种元件能够有效地提高电源效率,减少功耗,从而提升整体系统的性能。

    2. 电机驱动:电机驱动要求高效率和高可靠性,STW15NM60ND凭借其优异的电气特性,可以提供稳定且高效的电机控制。这在工业自动化和家用电器中尤为重要,能够显著提高设备的运行效率和可靠性。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,逆变器的性能直接影响系统的能量转换效率。STW15NM60ND具备高耐压能力和低损耗特性,使其成为太阳能逆变器中理想的开关器件,有助于提高太阳能系统的整体效率。

    4. 汽车电子:现代汽车电子系统复杂多样,STW15NM60ND可用于车载电源、车身控制模块以及其他高可靠性需求的应用中。其高温性能和耐用性保证了在恶劣条件下的稳定工作。

    5. 工业控制:工业控制系统需要高可靠性和长寿命的元器件,STW15NM60ND的坚固设计和高性能特性使其适用于各种工业控制应用,如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)等。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDSS):STW15NM60ND的漏源电压为600V,这使其适用于需要高电压处理能力的应用场合,如电源转换和逆变器。

    - 导通电阻(RDS(on)):该器件的导通电阻低至0.33Ω,低导通电阻意味着在开关过程中损耗较低,从而提高了整体效率。这对于高效电源管理和电机驱动应用尤其重要。

    - 漏极电流(ID):STW15NM60ND的最大漏极电流为15A,这使其能够处理较大电流,适用于高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):栅极电荷仅为64nC,低栅极电荷意味着该MOSFET能够快速开关,适合高频应用,如开关电源和高频逆变器。

    - 工作温度范围:STW15NM60ND的工作温度范围为-55°C至150°C,宽广的工作温度范围使其能够在各种严苛环境中稳定工作,适用于工业和汽车等对温度要求较高的应用。

    综上所述,STW15NM60ND凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为各种高性能电子系统中的理想选择。其高耐压、低导通电阻、低栅极电荷和宽温度范围等特点,使其在电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、汽车电子和工业控制等领域中展现出色表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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