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场效应MOS管STP80NS04ZB参数

PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:33VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.7~4.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP80NS04ZB是一款N沟道功率场效应晶体管,具有广泛的应用场景和特点。下面将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP80NS04ZB在电源管理领域具有重要应用,可用于开关电源、DC-DC变换器和线性稳压器等电源系统中。

    2. 电机驱动:由于其高功率和低导通电阻,STP80NS04ZB常用于电机驱动器中,如步进电机、直流电机和交流电机。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP80NS04ZB可用于车载电源管理、驱动控制和电动汽车的动力系统等方面。

    4. 工业自动化:在工业控制和自动化领域,STP80NS04ZB可作为开关器件用于各种类型的控制电路和驱动器中。

    5. LED照明:在LED照明系统中,STP80NS04ZB可用于LED驱动电路和电源控制,提供稳定的电流和功率输出。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STP80NS04ZB具有低导通电阻,能够在高电流下提供低功耗和高效率的性能。

    2. 高功率处理能力:由于其优秀的功率特性,STP80NS04ZB适用于需要处理高功率的应用场景,如电机驱动和电源系统。

    3. 低开启电压:STP80NS04ZB具有低的开启电压,有助于减少功率损耗和提高系统效率。

    4. 良好的温度稳定性:该晶体管具有良好的温度稳定性,能够在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能。

    5. 高可靠性:作为一款优质的功率场效应晶体管,STP80NS04ZB具有高可靠性和长寿命,适用于各种严苛的工作环境和应用场景。

    综上所述,STP80NS04ZB在多个领域都有着广泛的应用,并且具有优秀的参数特点,是一款性能稳定可靠的功率场效应晶体管。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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