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场效应MOS管STP80NF55-06参数

PD最大耗散功率:210WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.065ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP80NF55-06是一款N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景,主要用于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP80NF55-06常用于功率转换和稳压。它的高效导通性能和快速切换能力使其能够有效地提高电源转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:STP80NF55-06可以应用于电机驱动电路中,特别是直流电机和步进电机的驱动。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提供稳定和强劲的驱动力。

    3. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,STP80NF55-06被广泛用于逆变器电路,用于将直流电转换为交流电。其高耐压和高效能特性确保了光伏系统的高可靠性和高效运行。

    4. 汽车电子:STP80NF55-06也广泛应用于汽车电子系统,例如电动汽车的电池管理系统、车载充电器和各种电控单元。其可靠性和高性能使其成为汽车电子应用中的理想选择。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STP80NF55-06用于控制大功率设备的开关操作,如工业泵、风机和加热器。其高功率处理能力和耐用性使其在工业环境中表现出色。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STP80NF55-06具有极低的导通电阻,典型值为0.016欧姆。这使得它在导通状态下的功率损耗非常低,有效提高了电路的效率。

    - 最大漏源电压(VDSS):STP80NF55-06的最大漏源电压为55V,这意味着它能够承受高达55V的电压而不被击穿,适合用于高压应用场合。

    - 最大漏极电流(ID):STP80NF55-06可以承载高达80A的漏极电流,使其非常适合大电流应用,如电机驱动和电源管理。

    - 门极阈值电压(VGS(th)):其门极阈值电压在2V到4V之间,典型值为3V。这使得STP80NF55-06能够在较低的门极电压下实现导通,便于电路设计。

    - 封装类型:STP80NF55-06采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合于需要高功率处理和散热的应用场合。

    综上所述,STP80NF55-06由于其优异的电气性能和广泛的应用范围,成为了许多电子设备和电路设计中的首选器件。其低导通电阻、高电流承载能力以及可靠的封装,使其在各种应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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