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场效应MOS管STP60N05-14参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:50VRDS(ON)Ω内阻:0.014ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP60N05-14是一种N沟道功率MOSFET,具有出色的开关性能和低导通电阻,非常适合高效能应用。本文将详细介绍STP60N05-14的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP60N05-14在直流-直流转换器和不间断电源(UPS)系统中,由于其低导通电阻和高效率,被广泛用于提高整体电源系统的性能和稳定性。

    2. 汽车电子:STP60N05-14被应用于电动汽车的电机控制系统和电池管理系统。它能够在高电流负载下保持稳定的性能,确保车辆电子系统的安全和高效运行。

    3. 工业控制:在工业自动化设备和控制系统中,STP60N05-14被用作驱动电机和控制大功率负载的核心元件。其出色的散热能力和耐高压特性,使其能够在严苛的工业环境中可靠运行。

    4. 照明系统:在高效LED照明和智能照明控制系统中,STP60N05-14的低导通电阻特性有助于降低功耗,提高系统的能源效率。

    5. 消费电子:在如平板电脑、智能手机等高性能消费电子设备中,STP60N05-14常用于电源电路中,确保设备在高性能模式下的可靠供电。

    二、参数特点:

    - 最大漏极电流(ID):STP60N05-14能承受高达60A的连续漏极电流,适用于大电流负载的应用场景。

    - 最大漏源电压(VDS):该器件的最大漏源电压为55V,足以应对多种高压环境需求,确保在不同电压条件下的稳定运行。

    - 导通电阻(RDS(on)):STP60N05-14的典型导通电阻仅为0.014欧姆,这意味着在导通状态下,其能耗非常低,有助于提升整体电路的能效。

    - 栅极电荷(Qg):其典型栅极电荷为140nC,这使得STP60N05-14具有快速的开关速度,适合高频开关应用。

    - 热阻(RthJC):该型号的结壳热阻为1.5°C/W,说明其具有优异的散热性能,能够在高功率条件下有效散热,确保器件的长期可靠性。

    综上所述,STP60N05-14作为一款高性能N沟道功率MOSFET,在电源管理、汽车电子、工业控制、照明系统以及消费电子等多个领域都有着广泛的应用。其卓越的参数性能,如高电流承载能力、低导通电阻、快速开关速度和优异的散热性能,使其成为许多高效能电路设计中的理想选择。通过以上详细的介绍,可以看出STP60N05-14不仅仅是一款具有出色性能的电子元件,更是推动多种先进技术应用发展的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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