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场效应MOS管STP55NE06FP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP55NE06FP是一种常用于电子设备中的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管)。其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP55NE06FP常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。它能够高效地控制电流和电压转换,提高系统的整体效率。

    2. 电机驱动:STP55NE06FP广泛应用于电动工具、电动自行车、电动汽车等设备的电机驱动电路中。它可以提供稳定的电流,确保电机平稳运行。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP55NE06FP用于逆变器电路,通过高效的开关特性实现直流电到交流电的转换,提高能量转换效率。

    4. UPS不间断电源:STP55NE06FP在UPS系统中用于控制电池的充放电过程,保证在电力中断时能提供持续的电力供应。

    5. 音频放大器:在音频放大器电路中,STP55NE06FP用于驱动大功率扬声器,提供高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 电流和电压:STP55NE06FP具有高达55A的连续漏极电流和60V的漏源电压,这使得它能够处理大电流和高电压应用,适用于各种高功率设备。

    - 导通电阻:其典型的导通电阻为0.014Ω,低导通电阻意味着在导通状态下能量损失较小,从而提高了效率。

    - 开关速度:STP55NE06FP具有快速的开关速度,开关时间(包括开通时间和关断时间)在几十纳秒量级。这对于需要快速响应的应用,如开关电源和电机控制,是非常关键的。

    - 封装形式:采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,适合安装在需要良好散热的电路板上。

    - 热性能:STP55NE06FP的结温最高可达175°C,并具有较低的热阻特性,使其在高温环境下仍能稳定工作,不易因过热而损坏。

    通过以上分析可以看出,STP55NE06FP以其高效的开关特性、低导通电阻和优异的热性能,广泛应用于各种需要高可靠性和高效能量转换的电子设备中。其多种应用场景和优越的参数特点,使其成为电子工程师们设计电源管理和电机驱动电路的首选之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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