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场效应MOS管STP55NE06参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP55NE06是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍STP55NE06的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP55NE06常用于开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高电流承载能力使其在这些应用中能够高效地传输能量,减少能量损耗,从而提高系统效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车中,STP55NE06可用于电池管理系统和电动驱动系统。其高耐压和高电流能力能够确保电动汽车在高功率需求下的可靠运行。

    3. 工业控制:STP55NE06在工业自动化和控制系统中扮演重要角色。其高耐压和高电流能力使其能够处理工业设备中的高功率信号,并提供可靠的电源控制。

    4. 消费电子:STP55NE06在消费电子产品如计算机、电视和智能家居设备中也有广泛应用。其高效能和低功耗特点有助于延长电池寿命和提高设备性能。

    5. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STP55NE06用于逆变器电路。其高效能和可靠性能够提高光伏系统的整体效率,并确保长期稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP55NE06的典型导通电阻为0.018欧姆,这意味着在导通状态下,它的能量损耗非常低,有助于提高系统效率。

    - 高电流承载能力:STP55NE06能够承受高达50安培的连续漏极电流,这使其适用于高功率应用,能够处理大量电流而不会过热或损坏。

    - 高耐压能力:STP55NE06的漏极-源极耐压为60伏特,能够在高电压环境下稳定工作,适应广泛的应用场景。

    - 快速开关速度:STP55NE06具有快速开关特性,能够在短时间内实现导通和关断。这对于需要快速响应的电路,如开关电源和DC-DC转换器,非常重要。

    - 低栅极电荷:STP55NE06的栅极电荷较低,这意味着其驱动电路所需的能量较少,从而减少了控制电路的功耗,提高了整体系统的效率。

    通过以上详细介绍,可以看出STP55NE06在多个应用场景中具有广泛的应用前景,其优越的参数特点使其成为高效能电子电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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