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场效应MOS管STP26NM60ND参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.175ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP26NM60ND是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电力系统中,主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:STP26NM60ND常用于DC-DC转换器和AC-DC电源转换器中。其高效率和低导通电阻使其在电源转换中能够减少能量损耗,提高整体系统的效率。

    2. 电机驱动:在电动工具和工业自动化设备中,STP26NM60ND被用来驱动直流电机。其高电流处理能力和快速开关特性能够确保电机稳定运行,减少功耗和热损失。

    3. 照明系统:LED照明系统中也会使用STP26NM60ND。其高开关速度和高耐压特性使其适用于驱动高亮度LED灯,提供稳定的电流,提升照明效果和寿命。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理中,STP26NM60ND用于电池的充放电控制。它能够承受高电压和大电流,确保电池安全高效地工作。

    5. 逆变器:STP26NM60ND在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中也有广泛应用。其高可靠性和高效率有助于转换直流电到交流电,确保系统稳定供电。

    二、参数特点:

    - 耐压能力高:STP26NM60ND的漏源极耐压(Vdss)高达600V,使其在高压环境中表现优异,适用于各种需要高耐压能力的应用场合。

    - 低导通电阻:在最大导通状态下,STP26NM60ND的导通电阻(Rds(on))仅为0.19欧姆,保证了低功耗和高效率的电能传输。

    - 高电流处理能力:该器件能够承受26A的连续漏极电流(Id),适用于需要大电流传输的应用,如电机驱动和电源转换等。

    - 快速开关速度:STP26NM60ND具有快速的开关速度,其开关时间极短,有助于提高电源转换效率,减少切换损耗。

    - 热性能优越:STP26NM60ND的热阻(Rthj-c)较低,仅为0.83°C/W,能够有效降低器件工作温度,延长使用寿命,提高系统可靠性。

    综上所述,STP26NM60ND凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和优越的热性能,成为各种高性能电子设备和电力系统中的理想选择。无论是在电源转换、电机驱动、照明系统还是电池管理系统中,STP26NM60ND都能提供高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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