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场效应MOS管STP25NM60ND参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:10.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP25NM60ND是一款强大的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个行业和设备中。以下是其主要的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP25NM60ND凭借其高效的电流传输能力,常用于开关电源、直流-直流转换器和电池管理系统中。这些应用要求稳定且高效的电源控制,而STP25NM60ND的低导通电阻和高击穿电压使其成为理想选择。

    2. 电动汽车:电动汽车的电源系统需要处理高功率且高效的电流传输。STP25NM60ND在电动汽车的电池管理和驱动系统中扮演重要角色,其高电流处理能力和耐用性保证了电动汽车的性能和安全性。

    3. 工业自动化设备:工业自动化设备如机器人、控制器和自动化生产线等,需要稳定的电源管理和电流控制。STP25NM60ND凭借其出色的开关速度和低能耗特点,被广泛应用于这些高要求的工业环境中。

    4. 可再生能源系统:在太阳能和风能发电系统中,功率MOSFET用于逆变器和电源转换模块。STP25NM60ND的高效能和可靠性使其成为可再生能源系统中的关键元件,确保了能源的有效转换和利用。

    5. 家电:现代家电如空调、冰箱和洗衣机等,都需要高效的功率控制元件。STP25NM60ND在这些设备中用于电源管理模块,提升了家电的能源效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STP25NM60ND的导通电阻仅为0.1Ω,这意味着在相同电流下,产生的热量较少,从而提高了整体效率和可靠性。

    - 最大漏极电流(ID):其最大漏极电流为25A,这使得STP25NM60ND能够处理高电流应用,适用于需要高电流传输的场景。

    - 击穿电压(VDSS):STP25NM60ND的击穿电压为600V,这使得它能够在高电压环境下稳定运行,适合应用于电源管理和工业自动化等领域。

    - 开关速度:STP25NM60ND具备快速的开关速度,使其在高频应用中能够有效降低开关损耗,提升整体系统效率。这一特点特别适用于开关电源和DC-DC转换器中。

    - 封装形式:STP25NM60ND采用TO-220封装,具有良好的热性能和机械强度。这种封装形式便于散热和安装,确保了元件在高功率应用中的稳定性和耐用性。

    综上所述,STP25NM60ND凭借其卓越的参数和广泛的应用场景,成为电子和电气工程领域中不可或缺的重要元件。其高效的电流处理能力和优异的开关性能,满足了现代电源管理和高功率应用的严格要求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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