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场效应MOS管STP21NM60ND参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.22ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP21NM60ND是一款广泛应用于各种电子设备和电力系统中的功率MOSFET,其高性能和可靠性使其在许多领域中成为理想选择。以下将详细介绍STP21NM60ND的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP21NM60ND常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。其高效的电流开关能力使其在这些应用中表现出色,能够有效地转换和管理电力,从而提高系统的整体效率和稳定性。

    2. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STP21NM60ND用于驱动电机和控制各种工业设备。其高耐压和高电流能力确保在恶劣的工业环境中仍能稳定运行,提供可靠的控制和操作。

    3. 可再生能源系统:STP21NM60ND在太阳能和风能等可再生能源系统中也有广泛应用。它可以用于太阳能逆变器和风能转换器中,帮助实现高效的能源转换和利用,支持绿色能源的发展。

    4. 家用电器:现代家用电器如空调、冰箱和洗衣机等也常用STP21NM60ND。其高效能和长寿命特点使其能够满足这些设备对高可靠性和高效能的要求,确保家用电器的稳定运行和节能效果。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP21NM60ND用于电动助力转向系统(EPS)、电动窗、座椅调节器和其他车载电子设备。其高耐久性和低损耗特性有助于提高汽车电子系统的性能和可靠性。

    二、参数特点:

    - 耐压和电流能力:STP21NM60ND具有600V的高耐压能力和21A的连续漏极电流能力,这使其能够在高电压和大电流环境中稳定工作,适用于高压电源和电力转换系统。

    - 低导通电阻:STP21NM60ND的典型导通电阻(R_DS(on))仅为0.18Ω,这显著降低了导通损耗,提高了系统的效率。低导通电阻对于高效能电源管理系统至关重要,有助于减少功率损耗。

    - 快速开关速度:STP21NM60ND具有快速的开关速度,其开关时间(t_on)和关断时间(t_off)分别为14ns和30ns。这种快速开关能力能够显著提高转换效率,减少电能损耗,并适用于高速开关电路。

    - 热性能:STP21NM60ND具有出色的热性能,其结到壳热阻(R_thJC)仅为1.25°C/W。这种低热阻特性有助于有效散热,确保器件在高功率条件下仍能稳定运行,延长其使用寿命。

    - 封装和集成度:STP21NM60ND采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,方便集成到各种电路板设计中。此外,封装形式的标准化也使其在更换和维修时更加方便。

    综上所述,STP21NM60ND因其卓越的性能和广泛的应用场景,成为众多电力电子设备和系统中的理想选择。无论是在电源管理、工业控制、可再生能源、家用电器还是汽车电子领域,STP21NM60ND都能提供可靠、高效的解决方案,满足各种复杂应用的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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