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场效应MOS管STP20NM60FD参数

PD最大耗散功率:192WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.29ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP20NM60FD是一款常用于多种电力电子应用的功率MOSFET,其主要特点是高效能和高可靠性。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP20NM60FD广泛应用于开关电源中,其高效能和低导通电阻使其能够在高频开关条件下运行,有效减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 不间断电源:在不间断电源系统中,STP20NM60FD常被用作逆变器或整流器元件。其高电压耐受能力和快速开关特性使其在电力转换过程中表现出色,确保设备在电力故障时能够提供稳定的电力供应。

    3. 电机驱动:STP20NM60FD在电机驱动控制中也扮演重要角色,尤其是在工业自动化和家电领域。其高效率和低热阻特性使其能够处理高电流负载,同时减少发热量,从而延长设备寿命。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STP20NM60FD用于电池充放电控制。其高可靠性和稳定性使其能够在各种充放电循环中保持良好的性能,确保电池的长寿命和安全性。

    5. 太阳能逆变器:由于其高效率和耐高压特性,STP20NM60FD在太阳能逆变器中得到了广泛应用。它可以有效地将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,满足家庭和工业用电需求。

    二、参数特点:

    - 耐高压能力:STP20NM60FD具有600V的击穿电压,能够处理高压应用环境,适用于各种需要高电压操作的电力设备。

    - 低导通电阻(RDS(on)):该器件的最大导通电阻为0.18Ω,有效减少了在导通状态下的能量损耗,提高了整体系统效率。

    - 高电流能力:STP20NM60FD的连续漏极电流(ID)为20A,使其能够处理高电流负载,适用于大功率电力转换和驱动应用。

    - 快速开关特性:其开关速度非常快,具有低的开关损耗。典型的栅极电荷(Qg)为58nC,确保在高频操作时依然能保持高效性能。

    - 热阻低:STP20NM60FD具有良好的热性能,其结到环境的热阻(RthJA)为62.5°C/W,这意味着其散热性能优越,能够在高功率条件下有效散热,减少热积累。

    通过以上介绍可以看出,STP20NM60FD凭借其优越的电气特性和可靠性,被广泛应用于各类电力电子设备中,为实现高效能和高可靠性提供了有力保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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