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场效应MOS管STP165N10F4参数

PD最大耗散功率:315WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流:60AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP165N10F4是一种N沟道功率MOSFET,具有高效能和广泛的应用场景。在这篇文章中,我们将详细介绍STP165N10F4的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP165N10F4在电源管理系统中广泛应用,特别是在开关电源、DC-DC转换器等领域。其高效的开关特性使其能够在这些系统中实现高效的能量转换,降低能量损耗,提高系统整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,STP165N10F4常用于控制电机的驱动。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够在高功率输出的场景下,提供稳定的性能表现,确保电动工具的高效运行。

    3. 汽车电子:随着汽车电子化程度的提高,STP165N10F4在汽车电控系统中的应用也越来越广泛。它被用于电动窗、电动座椅以及车载音响系统等电路中,帮助实现更精准的控制和更高效的能量管理。

    4. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,特别是太阳能逆变器中,STP165N10F4因其高效能和耐用性,被广泛用于提升能量转换效率,确保系统的稳定运行。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STP165N10F4被用于控制各种执行器和电机。其快速的开关速度和高可靠性使其在工业控制系统中占据重要地位,能够满足高强度的工作需求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻低:STP165N10F4的最大导通电阻(Rds(on))仅为4.7毫欧姆,这使其在工作时的能量损耗非常低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:该器件的最大连续漏极电流(Id)可达165安培,能够承载较大的电流,适用于高功率应用场景。

    - 耐高压:STP165N10F4的最大漏源极电压(Vds)为100伏特,能够在较高电压环境下稳定工作,适合多种复杂应用。

    - 高开关速度:其典型的开关时间非常短,能够在高频应用中表现出色。这对于需要快速响应的电路,如开关电源和高频转换器等非常重要。

    - 热性能优越:STP165N10F4具有良好的热阻特性,最大结点温度(Tj)可达175摄氏度,能够在高温环境下可靠运行,适应恶劣的工作条件。

    通过以上对STP165N10F4应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出它是一款性能优越、适应性强的功率MOSFET器件,能够满足多种复杂应用的需求。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,STP165N10F4都展示出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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