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场效应MOS管STP150N10F7参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:110AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0042ΩVRDS(ON)ld通态电流:55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP150N10F7是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中,STP150N10F7因其低导通电阻和高电流处理能力而被广泛应用。这些特性确保了电源系统的高效率和低能耗。

    2. 电机驱动:在电动机驱动电路中,STP150N10F7可用于控制电机的启动、停止和调速。其高耐压和高电流能力使其适合用于各种类型的电动机,包括无刷直流电机和步进电机。

    3. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换器件,STP150N10F7的高效能和低损耗特性使其成为理想选择,有助于提高太阳能系统的整体效率。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,STP150N10F7用于电池充放电控制,其低导通电阻有助于减少能量损失,提高系统的可靠性和寿命。

    5. 汽车电子:汽车电子系统,如电动汽车的电池管理系统和动力系统控制,广泛采用STP150N10F7,其高可靠性和耐用性满足了汽车行业严格的质量要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP150N10F7的RDS(on)典型值仅为4.5mΩ,这显著降低了导通损耗,提升了效率,尤其在高电流应用中表现出色。

    - 高电流能力:它能够承受高达120A的连续漏极电流,适用于高功率应用场景,如电动机控制和大功率开关电源。

    - 高耐压特性:STP150N10F7的漏源极耐压(VDS)为100V,能够满足中高压应用需求,如工业控制系统和电池管理系统。

    - 优异的开关特性:其开关速度快,能够实现高频率开关操作,减少开关损耗,提升系统效率。

    - 低栅极电荷:STP150N10F7具有较低的总栅极电荷(Qg),这使得其在开关过程中能量损耗较低,有助于提高整体系统效率和性能。

    综上所述,STP150N10F7凭借其优越的电气性能和可靠性,成为各种高要求应用的理想选择。其低导通电阻、高电流能力、高耐压特性以及优异的开关性能,使其在多个领域中得到广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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