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场效应MOS管STP110N55F6参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:110AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.0052ΩVRDS(ON)ld通态电流:60AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP110N55F6是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP110N55F6常用于电源管理系统中,特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中。其低导通电阻和高效率使其能够在转换过程中减少能量损耗,提高整体效率。

    2. 电机控制:在电动机控制应用中,STP110N55F6能够提供高效且稳定的电流输出,适用于电动工具、电动汽车等需要高功率输出的设备。其高耐压和高电流能力使其在高负载下依然表现出色。

    3. 消费电子:在消费电子领域,如电视、音响、家用电器等,STP110N55F6可以作为开关元件使用。其快速开关特性和低损耗特性,可以有效提升电子产品的性能和寿命。

    4. 工业自动化:工业自动化设备中,STP110N55F6被广泛应用于控制系统和驱动电路。其高可靠性和耐用性,使其能够在苛刻的工业环境下长期稳定运行。

    5. 太阳能和风能系统:在新能源领域,STP110N55F6常用于太阳能和风能系统的逆变器和充电控制器中。其高效能转换特性,帮助提高系统的整体能源利用率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP110N55F6的导通电阻仅为4.5毫欧(最大值),这意味着在导通状态下,它可以显著减少电能的损耗,从而提高整个电路的效率。

    - 高电流处理能力:STP110N55F6能够处理高达110安培的连续漏极电流(ID),这使其非常适合需要高电流传输的应用,如电动机控制和大功率电源管理。

    - 高耐压:该型号的漏源电压(VDS)最大可达55伏,这使得STP110N55F6可以在中等电压的应用场合中稳定工作,同时提供足够的电压余量,确保电路的安全性和可靠性。

    - 快速开关速度:STP110N55F6的开关速度非常快,其栅极电荷(Qg)仅为96纳库伦,这使得它能够在高频应用中表现出色,如高效的开关电源和高频转换电路。

    - 热性能:STP110N55F6的结电容(Ciss)为2600pF(典型值),这结合其高效的散热设计,确保在高功率和高频工作时,能有效管理和散发热量,保持器件的稳定运行。

    综上所述,STP110N55F6因其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压、快速开关速度及优异的热性能,被广泛应用于电源管理系统、电机控制、消费电子、工业自动化以及新能源系统中,成为这些领域的首选MOSFET型号之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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