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场效应MOS管STP10NB20FP参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP10NB20FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路和设备中。以下将详细介绍STP10NB20FP的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP10NB20FP常用于主功率开关器件。由于其低导通电阻和快速开关特性,使得电源转换效率更高,同时减少了热损耗。

    2. 电机驱动:在直流电机和步进电机驱动电路中,STP10NB20FP可以作为功率驱动器件。其高耐压和大电流处理能力,使其能够可靠地控制和驱动电机运转。

    3. 太阳能逆变器:STP10NB20FP在太阳能逆变器中起着重要的作用。它的高效率和高可靠性,能够有效地将直流电转换为交流电,满足太阳能系统的要求。

    4. UPS不间断电源:在UPS系统中,STP10NB20FP用于逆变电路。其优越的电气特性确保了UPS在电网故障时能够快速、稳定地提供备用电源。

    5. 汽车电子:STP10NB20FP也广泛应用于汽车电子系统中,如电动座椅控制、车灯调节等。其耐高温和高可靠性的特性,能够在汽车的严苛环境中稳定工作。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STP10NB20FP的典型导通电阻仅为0.135Ω(在VGS=10V时)。这意味着在导通状态下,电阻非常低,可以减少功率损耗,提高效率。

    - 最大漏源电压(VDSS):STP10NB20FP的最大漏源电压为200V,使其适用于高电压应用。这一特性特别适用于需要处理高电压的电源转换器和电机驱动器。

    - 最大漏源电流(ID):在25°C环境温度下,STP10NB20FP的最大漏源电流为10A,这使得它能够处理大电流应用,如电机驱动和大功率开关电源。

    - 栅极电荷(Qg):STP10NB20FP的总栅极电荷为45nC。低栅极电荷使其在开关过程中能够快速响应,减少开关损耗,提升电路的整体效率。

    - 热阻(RthJC):STP10NB20FP的结到壳热阻为1.6°C/W。这意味着它具有良好的散热性能,能够在高功率应用中有效地管理和散热,确保器件的稳定性和长寿命。

    综上所述,STP10NB20FP凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电源转换和电机驱动领域。其低导通电阻、高耐压和大电流处理能力,使得它在不同的应用场景中都表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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