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场效应MOS管STP100N10F7参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~45VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP100N10F7是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。这款器件广泛应用于各种电子设备中,其性能特点使其在不同的应用场景中表现出色。以下是STP100N10F7的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,STP100N10F7被用作开关元件。其低导通电阻和高效率的特点,使其在高频工作条件下能够提供稳定的电流输出,减少功率损耗,提高电源系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC Motor)和有刷直流电机的驱动电路中,STP100N10F7作为电机控制器的核心器件,能够承受高电流和高电压,提供可靠的电机启动和停止控制,确保电机运行的稳定性和可靠性。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,例如车载充电器、电子控制单元(ECU)中,STP100N10F7因其耐高温、耐高压和低导通电阻的特点,能在苛刻的汽车环境中稳定工作,保证电子系统的高性能和长寿命。

    4. 工业控制:在工业自动化设备中,STP100N10F7被用于控制工业机械的电源和信号传输。其高耐压和高电流能力,确保了工业设备在恶劣环境下的可靠运行。

    5. 消费电子:如电脑电源、液晶电视电源模块中,STP100N10F7的高效能和低噪声特性,使其在这些设备中能够提供稳定的电源管理,保证设备的正常工作和长时间运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):STP100N10F7的典型导通电阻为7.5毫欧姆(mΩ),这使得其在导通状态下的功率损耗非常低,提高了整体电路的效率。

    - 高电流能力:STP100N10F7的连续漏极电流(ID)高达100安培(A),能够承受较大的电流负载,适用于高功率应用场景。

    - 高耐压能力:这款MOSFET的最大漏源电压(Vds)为100伏(V),能够在高电压环境下稳定工作,保证电路的安全性和可靠性。

    - 快速开关速度:STP100N10F7具有快速的开关特性,其典型的开关时间在纳秒级别,使其适用于高频开关电路,减少开关损耗,提高电路的工作效率。

    - 热性能优越:STP100N10F7具有较低的热阻(Rth),在高功率操作时能够有效地散热,防止器件过热,提高了MOSFET的可靠性和寿命。

    综上所述,STP100N10F7凭借其出色的电气性能和热性能,在电源管理、电机驱动、汽车电子、工业控制和消费电子等领域得到了广泛应用。其低导通电阻、高电流和高耐压的特点,使其成为各类高性能电子设备中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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