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场效应MOS管STFW69N65M5参数

PD最大耗散功率:330WID最大漏源电流:58AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.045ΩVRDS(ON)ld通态电流:29AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STFW69N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的先进MOSFET器件,广泛应用于各种高效能电力电子系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STFW69N65M5常用于开关电源中,尤其是服务器电源和数据中心电源。这些电源需要高效、低损耗的开关器件来保证系统稳定和可靠。

    2. 电动汽车:在电动汽车领域,STFW69N65M5被用作电机驱动器的核心组件。其高效率和低导通电阻(RDS(on))能够有效提升电动汽车的续航里程和动力性能。

    3. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,光伏逆变器需要高效转换直流电到交流电。STFW69N65M5凭借其优异的性能,成为这一应用的理想选择。

    4. 电池管理系统:STFW69N65M5在BMS中起到关键作用,特别是在电动汽车和储能系统中,能够提供高效的电流控制和过电流保护。

    5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STFW69N65M5用于高功率驱动电路,如变频器、伺服驱动器等,确保设备的高效运行和长时间稳定工作。

    二、参数特点:

    - 高电压承受能力:STFW69N65M5具备650V的高电压承受能力,适合高压应用场景,能够应对电源系统中的高压瞬态。

    - 低导通电阻(RDS(on)):其导通电阻仅为69mΩ(典型值),在大电流工作时具有较低的导通损耗,从而提升整体系统的效率。

    - 快速切换速度:STFW69N65M5具有快速的开关速度,减少了开关损耗和EMI(电磁干扰),提升了系统的可靠性和稳定性。

    - 高功率密度:由于其低导通电阻和高电流承受能力,STFW69N65M5能够在较小的封装中实现高功率密度,适合紧凑型设计需求。

    - 热性能优越:STFW69N65M5具有良好的热性能,包括低热阻和高热稳定性,能够在高温环境中保持稳定的性能,延长器件寿命。

    通过以上应用场景和参数特点的详细描述,可以看出STFW69N65M5是一款性能优异、应用广泛的MOSFET器件,能够满足现代高效能电力电子系统的多样化需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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