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场效应MOS管STD75N3LLH6参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流:37.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD75N3LLH6是一款先进的功率MOSFET器件,广泛应用于各种电子设备和系统中。它结合了高效的开关性能和稳健的结构设计,适用于需要高功率和高效率的应用场景。本文将详细介绍STD75N3LLH6的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD75N3LLH6广泛应用于电源管理系统,尤其是在开关电源和DC-DC转换器中。它的低导通电阻和高开关速度使其能够高效地转换电能,降低能量损耗,提升系统整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,STD75N3LLH6的高耐压和高电流处理能力使其成为驱动电动马达的理想选择。它能够承受高负载冲击,并确保设备在长时间高强度工作条件下的稳定性。

    3. 汽车电子:STD75N3LLH6在汽车电子系统中也有广泛应用,特别是在电动汽车的电池管理系统和车载充电器中。其高可靠性和高效能确保了车辆电子系统的安全和高效运行。

    4. 通信设备:在通信设备中,STD75N3LLH6常用于基站的电源模块和通信设备的功率放大器中。其高频开关特性和低损耗特性能够有效支持通信设备的高效运行。

    5. 消费电子:在电视、电脑和家用电器等消费电子产品中,STD75N3LLH6用于开关电源和负载开关。其紧凑的封装和高效性能使其能够在空间有限的设备中实现高效能和高可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD75N3LLH6具有非常低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着在导通状态下电流通过时损耗的电能极少,从而提高了整体效率。

    - 高耐压特性:STD75N3LLH6的漏源极电压(V_DS)额定值高达75V,使其能够在高压环境中稳定工作,不易出现击穿故障。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏极电流(I_D)可达到80A,适合处理高功率应用中的大电流需求,确保设备在高负载条件下的可靠运行。

    - 快速开关速度:STD75N3LLH6具备快速的开关速度,这对降低开关损耗和提高开关效率非常重要。其典型的开关时间(t_on和t_off)非常短,适合高频应用。

    - 热性能优越:STD75N3LLH6设计有良好的热性能,能够有效散热,确保在高功率、高电流条件下的稳定工作,减少热损坏的风险。


    综上所述,STD75N3LLH6凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,成为功率MOSFET市场中备受青睐的器件之一。无论是在工业设备、汽车电子还是消费电子领域,STD75N3LLH6都展示了其不可替代的价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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