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场效应MOS管STD65N3LLH5参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:65AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0069ΩVRDS(ON)ld通态电流:32.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD65N3LLH5是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子和电气设备中。本文将详细介绍STD65N3LLH5的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD65N3LLH5常用于开关电源和DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻和高开关速度使其能够高效地处理电源转换过程,减少能量损耗,提升系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STD65N3LLH5凭借其高电流处理能力和耐高压特性,能够有效驱动各类直流电机和步进电机。这有助于提高电机的工作稳定性和响应速度,适用于工业自动化和机器人领域。

    3. 照明设备:STD65N3LLH5在LED照明驱动电路中有着广泛的应用。其高效能和低热阻特性,可以确保LED灯具在长时间工作时的稳定性和耐久性,提供高质量的照明效果。

    4. 消费电子:消费电子产品如智能手机、平板电脑等,常需要高效、稳定的功率管理解决方案。STD65N3LLH5通过其优越的电气性能,能够满足这些设备对电源管理的高要求,确保产品的可靠运行。

    5. 汽车电子:STD65N3LLH5也广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电器、电池管理系统等。其高可靠性和低导通损耗特性,使其在汽车严苛的工作环境中表现出色,保障系统的高效和稳定。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD65N3LLH5的导通电阻非常低,这意味着在相同电流通过时,它所产生的热量较少,从而降低了能量损耗,提高了整体效率。这一特性使其在高效能应用中占据优势。

    - 高开关速度:由于其设计上的优化,STD65N3LLH5拥有极快的开关速度。这对于需要快速切换的应用场景,如开关电源和DC-DC转换器,能显著提高系统的响应速度和工作效率。

    - 高耐压特性:STD65N3LLH5的耐压能力高达650V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要处理高压电源的应用,如工业控制系统和电源管理。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏电流可达30A,这使得STD65N3LLH5能够处理大电流应用,如电机驱动和高功率LED驱动。这一特性保证了其在高功率应用中的可靠性和稳定性。

    - 热阻低:STD65N3LLH5的结-壳热阻非常低,这意味着在高功率工作时,能够有效地散热,防止过热,延长器件寿命。同时,这一特性也有助于提高系统的整体稳定性。

    综上所述,STD65N3LLH5凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为许多高效能电子设备中的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动还是照明设备中,它都展现出了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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