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场效应MOS管STD60NF55LA参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD60NF55LA是一款由STMicroelectronics公司生产的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),在各种电子电路中具有广泛的应用。本文将详细介绍STD60NF55LA的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD60NF55LA常用于开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和高开关速度使其在电源管理应用中表现出色,能够有效减少能量损耗,提升系统效率。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STD60NF55LA用于驱动直流电机和无刷电机。其高电流处理能力和可靠的热性能,使其在高功率电机驱动应用中表现优异。

    3. 照明系统:STD60NF55LA在LED驱动电路中被广泛使用。其高效的电流处理能力和低导通电阻,使其能够为LED照明提供稳定且高效的电源,延长LED寿命并提高能效。

    4. 汽车电子:由于其高可靠性和耐用性,STD60NF55LA在汽车电子系统中,如电动座椅调节、电动窗控制等方面有着重要应用。其高温稳定性和抗冲击性能,使其能够适应汽车环境中的苛刻条件。

    5. 逆变器:在逆变器应用中,STD60NF55LA用于将直流电转换为交流电。其高开关频率和低损耗特性,使其成为逆变器电路中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD60NF55LA的导通电阻非常低,典型值为0.02Ω。这意味着在导通状态下,它能以较小的电压降通过较大的电流,减少能量损耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:STD60NF55LA的最大连续漏极电流为60A,这使其能够处理大电流应用,适用于高功率电路。

    - 高击穿电压:STD60NF55LA的最大漏源击穿电压为55V,这使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于需要高电压耐受能力的应用。

    - 快速开关性能:STD60NF55LA具有快速的开关速度,典型的上升时间和下降时间分别为15ns和40ns。快速的开关性能使其在高频应用中能够有效减少开关损耗。

    - 优秀的热性能:STD60NF55LA在设计上具有良好的热性能,其热阻(结到壳体)典型值为1.0℃/W。这使其在高功率应用中能够有效散热,保持稳定工作。

    综上所述,STD60NF55LA凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关性能和优秀的热性能,成为众多电子电路设计中的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动、照明系统、汽车电子还是逆变器应用中,STD60NF55LA都展示出了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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