PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:17.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:STD35P6LLF6常用于DC-DC转换器和开关电源中,因其高效能和低导通电阻能够有效降低能量损耗,提高系统效率。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动系统中,STD35P6LLF6通过其快速开关能力,提供精确的电流控制,提升电机性能和响应速度。
3. 汽车电子:该器件在汽车电子系统中扮演着重要角色,尤其在电池管理系统和车载电源分配单元中,STD35P6LLF6的可靠性和耐用性至关重要。
4. 消费电子:STD35P6LLF6也被广泛应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,提供高效的电源管理和保护功能。
5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STD35P6LLF6通过其高耐压和高电流能力,确保系统的稳定运行和长寿命。
二、参数特点:
- 低导通电阻:该器件的导通电阻极低(典型值为35毫欧),这意味着在开通过程中电能损耗较小,有助于提高整体系统效率。
- 高耐压:STD35P6LLF6的耐压值高达60V,使其能够在较高电压环境下可靠运行,适用于多种电源管理和转换应用。
- 高电流能力:其最大连续漏极电流为30A,能够处理较大的电流负载,非常适合高功率应用。
- 快速开关特性:该MOSFET具备快速开关速度(上升时间和下降时间均为纳秒级),有助于提高系统的响应速度和效率,减少电磁干扰。
- 热性能优越:STD35P6LLF6的结-环境热阻低,有效提升了散热性能,确保在高功率、高温度条件下仍能稳定运行。
通过上述详细介绍,可以看出STD35P6LLF6在各种应用场景中都能发挥其卓越性能,其独特的参数特点使其成为电子设计工程师的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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