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场效应MOS管STD30NF06T4参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD30NF06T4是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。它具备高效能和高可靠性,适用于多个应用场景和具有多项参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD30NF06T4常用于电源管理系统,包括开关电源和直流-直流转换器。其低导通电阻和高开关速度,使其在高效能和低能耗方面表现优异。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,STD30NF06T4可以用于直流电机和无刷直流电机驱动器中。它的高脉冲电流能力和低栅极电荷有助于提高电机的响应速度和效率。

    3. 电池保护电路:STD30NF06T4在电池管理系统中起到关键作用,尤其在锂离子电池保护电路中。它的低导通电阻和高耐压能力确保了电池的安全和长寿命。

    4. 消费电子:在各类消费电子产品如电视、音响、电脑中,STD30NF06T4常被用作高效能开关元件,确保设备稳定运行并延长其使用寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,STD30NF06T4被应用于车载充电器、灯光控制和其他电源控制系统中。其高耐压和高效能特性使其能应对汽车电子系统中的高要求环境。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD30NF06T4的导通电阻非常低,典型值为30毫欧。这使得它在导通状态下的能量损耗极小,提高了整体电路的效率。

    - 高耐压能力:STD30NF06T4具有60V的耐压能力,适合用于需要高电压操作的电路,保证了其在高压环境下的可靠性和安全性。

    - 高脉冲电流能力:其峰值脉冲电流能力高达120A,能够处理高瞬态电流,使其在需要高电流脉冲的应用中表现出色。

    - 低栅极电荷(Qg):STD30NF06T4的栅极电荷较低,典型值为40nC。这一特点使得其开关速度更快,减少了开关损耗,适合高频率的应用场景。

    - 热性能:STD30NF06T4具有良好的热性能,其结到外壳的热阻为1.2°C/W。这意味着它能高效散热,确保在高功率应用中不易过热。

    通过以上对STD30NF06T4应用场景和参数特点的详细描述,可以看出它是一款性能优异、应用广泛的功率MOSFET,能够满足现代电子设备和系统的多种需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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