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场效应MOS管STD30N6LF6AG参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:24AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.025ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD30N6LF6AG是一款常见的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在许多电子电路中有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD30N6LF6AG常用于各种电源管理电路中,如DC-DC转换器、开关电源等。在这些应用中,它的低导通电阻和高开关速度能够有效提高电源的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STD30N6LF6AG被用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和耐高压性能,使其非常适合用于各种类型的电机驱动电路。

    3. 照明系统:STD30N6LF6AG也被广泛应用于LED照明系统中。通过其高效的开关特性,可以实现LED灯的亮度调节和节能控制,延长灯具寿命并提高能效。

    4. 通信设备:在通信设备中,STD30N6LF6AG常用于射频功率放大器和信号调制器中。其快速的开关速度和低导通电阻能够确保信号的高保真度和设备的高效能。

    5. 消费电子产品:例如电视、电脑、智能手机等设备中,STD30N6LF6AG常被用作功率管理和电源控制元件。其高效的能量转换能力和可靠性,能够确保这些设备在各种工作条件下稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD30N6LF6AG的典型导通电阻为30毫欧,低导通电阻意味着在大电流通过时,功率损耗较低,提升了整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:它的连续漏极电流(ID)可以达到30安培,在脉冲模式下甚至可以处理高达120安培的电流。这使得STD30N6LF6AG能够胜任高功率需求的应用场景。

    - 耐高压:其漏源电压(VDS)额定值为60伏,使其能够在较高电压环境下工作,适应各种电源和驱动电路的需求。

    - 快速开关速度:STD30N6LF6AG的栅极电荷(Qg)较低,开关速度快,这对于高频开关电路尤其重要,可以有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。

    - 热性能:具有良好的热性能,结温最高可达175摄氏度。STD30N6LF6AG采用DPAK封装,有助于散热管理,确保在高功率工作时依然保持稳定。

    综上所述,STD30N6LF6AG凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和良好的热性能,成为电源管理、电机驱动、照明系统、通信设备及消费电子产品等多领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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