PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:在电源开关和稳压器中广泛使用,能够有效控制电流和电压,提高系统效率。
2. 驱动器和逆变器:在电机驱动器和逆变器中,STD2NC60能够控制大电流,实现高效的电能转换。
3. 照明系统:用于LED驱动和照明系统中,能够提供稳定的电流输出,确保照明设备的长期稳定运行。
4. 汽车电子:在汽车电子控制单元(ECU)和电动汽车中的电动传动系统中,提供高效的电能管理和控制功能。
5. 通信设备:在无线基站和通信设备中,STD2NC60用于功率放大器和射频调制器,确保信号传输的稳定性和可靠性。
二、参数特点:
1. 低导通电阻(RDS(on)):能够在低电压下实现较小的导通电阻,降低功耗和热量产生,提高效率。
2. 高耐压能力:具有较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,保证设备的安全性和可靠性。
3. 快速开关特性:具备快速的开关响应速度,能够快速切换工作状态,适合高频率和动态应用。
4. 温度稳定性:在不同工作温度下能够保持稳定的性能,适应各种环境条件和工作要求。
5. 封装形式:提供多种封装形式,如TO-220、DPAK等,便于不同应用场景的安装和集成。
STD2NC60作为一款性能优越的MOSFET,通过其卓越的电气特性和多样化的应用场景,广泛应用于现代电子和电气控制系统中,为各类设备和系统的高效运行提供了重要支持和保障。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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