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场效应MOS管STD25NF10LT4参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通态电流:12.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD25NF10LT4是一款常见的N沟道场效应晶体管(MOSFET),在电子电路中具有广泛的应用场景和特定的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源中,STD25NF10LT4常用作主开关或调节器件,可以有效地控制电流和电压,提高电源转换效率。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,STD25NF10LT4用作电机的驱动器件,能够实现高速开关和低损耗的特性,保证电机的效率和响应速度。

    3. 照明应用:在LED驱动和照明控制系统中,STD25NF10LT4可以作为开关电路的关键部件,帮助实现LED的精确调光和稳定工作。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,特别是在车辆电动化和能效提升的趋势下,STD25NF10LT4被广泛应用于电池管理、电动汽车充电桩和驱动控制单元中。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:其低导通电阻可以显著减少功率开关时的能量损耗,提高电路的效率和热稳定性。

    2. 快速开关特性:具备快速的开关速度和响应时间,适合于高频率开关电路,如开关电源和高性能驱动电路。

    3. 高电流承载能力:能够承受较大的电流负载,保证在高功率需求下的稳定工作和可靠性。

    4. 低门极驱动电压:需要较低的门极驱动电压即可实现良好的导通特性,减少控制电路的功耗和复杂度。

    5. 热稳定性:在高温环境下仍能保持稳定的性能,适合于工业和汽车电子等对稳定性要求较高的领域。

    综上所述,STD25NF10LT4作为一款性能优越的N沟道MOSFET,不仅在功率电子领域有着广泛的应用,其优异的参数特点也使其成为各种电子设备和系统中的理想选择之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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