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场效应MOS管STD20P3H6AG参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:-20AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:-10AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    STD20P3H6AG是一款性能卓越的P沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD20P3H6AG常用于电源管理电路中,例如DC-DC转换器和稳压器。它的低导通电阻和高效的电流处理能力使其在电源管理应用中表现出色。

    2. 负载开关:在智能手机、笔记本电脑等便携式设备中,STD20P3H6AG被用作负载开关,控制电源的开关状态,提供高效的电源管理。

    3. 电动工具:STD20P3H6AG在电动工具中用于电机控制电路。其高电流处理能力和快速开关特性使其能够有效地控制电动工具的运作。

    4. 汽车电子:由于其高可靠性和耐用性,STD20P3H6AG在汽车电子中也得到了广泛应用,特别是在汽车电源系统和电机驱动电路中。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,STD20P3H6AG被用于驱动电机、控制阀门等。其高效的电流处理和可靠的性能为工业应用提供了保障。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD20P3H6AG的典型导通电阻仅为50毫欧姆(V_GS = 10V),这意味着它在工作时产生的损耗较低,提高了整体电路的效率。

    - 高电流处理能力:STD20P3H6AG能够处理高达20安培的连续漏极电流(T_C = 25°C),使其适用于高电流需求的应用场景。

    - 低栅极电荷:其典型栅极电荷仅为42纳库伦(V_GS = 10V),这使得STD20P3H6AG能够以较低的驱动能量实现快速开关,从而提高电路的响应速度和效率。

    - 高耐压:STD20P3H6AG的漏源击穿电压为-30伏特,确保其在各种工作电压下的稳定性和可靠性。

    - 热性能优越:STD20P3H6AG具有良好的热管理性能,其热阻(结到壳)仅为4°C/W,这使得其在高功率应用中能够有效地散热,确保器件的长期可靠运行。

    综上所述,STD20P3H6AG作为一款高性能P沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、低栅极电荷、高耐压和优越的热性能,广泛应用于电源管理、负载开关、电动工具、汽车电子和工业控制等领域。其优异的参数特点和可靠的性能使其成为众多电子设备和系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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