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场效应MOS管STD1LNK60Z-1参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:0.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:15ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD1LNK60Z-1是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD1LNK60Z-1常用于电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。这些应用需要高效率和快速开关特性的MOSFET来提高系统性能和节能效果。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,STD1LNK60Z-1可以用作开关元件,调节电机的速度和转矩。其高效能和低导通电阻使其在工业电机和家用电器中得到广泛使用。

    3. 电池管理系统:STD1LNK60Z-1也被广泛应用于电池管理系统中,特别是锂离子电池的充放电管理。这些系统需要高精度和高可靠性的开关元件,以确保电池的安全和寿命。

    4. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,STD1LNK60Z-1用于转换和调节太阳能板产生的直流电至交流电。其高开关频率和低损耗特性有助于提高逆变器的效率。

    5. 音频放大器:STD1LNK60Z-1还可以在高保真音频放大器中用作功率放大器元件,提供高质量的音频输出。其快速开关速度和低失真特性使其在高端音频设备中非常受欢迎。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD1LNK60Z-1的导通电阻(RDS(on))非常低,典型值为0.18Ω。这意味着在相同电流下,该MOSFET的功耗更低,效率更高。

    - 高击穿电压:STD1LNK60Z-1的漏源击穿电压(VDS)为600V,使其适合高压应用。这一特性保证了器件在高电压工作环境下的可靠性和稳定性。

    - 高脉冲电流处理能力:STD1LNK60Z-1能够处理高达15A的脉冲电流,这使得它在需要瞬间大电流的应用中表现出色,如启动电机或切换大功率负载。

    - 低栅极电荷:STD1LNK60Z-1的栅极电荷(Qg)较低,约为20nC。这一特性使其在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的开关损耗。

    - 高温度稳定性:STD1LNK60Z-1在高温环境下仍能保持优异的电气性能,其结温可达175°C。这意味着该器件在严苛的工作条件下依然能够可靠运行。

    综上所述,STD1LNK60Z-1的多种应用场景和优越的参数特点使其成为许多电子设备和系统中的理想选择。无论是在电源管理、电机控制,还是在电池管理和光伏逆变器中,这款MOSFET都能提供高效、可靠的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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