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场效应MOS管STD17NF03LT4参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD17NF03LT4是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源、直流-直流转换器和不间断电源(UPS)中,STD17NF03LT4因其低导通电阻和高效率,能够有效降低能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电机控制:在各种电机驱动应用中,如电动工具、家用电器和工业自动化设备,STD17NF03LT4可以作为电机控制器件,提供稳定的电流和电压控制,确保电机运行平稳。

    3. 电池管理系统:在电动车、电动自行车和便携式电子设备的电池管理系统中,STD17NF03LT4被用来监控和管理电池的充放电过程,确保电池的安全性和寿命。

    4. LED驱动:STD17NF03LT4适用于LED照明应用,能够提供恒流驱动,保证LED灯的亮度稳定和寿命延长。

    5. 通信设备:在基站、路由器和交换机等通信设备中,STD17NF03LT4可用于功率放大器和信号处理电路,提供高效的功率传输和信号放大。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD17NF03LT4的典型导通电阻仅为13毫欧(mΩ),这意味着在导通状态下,其内部损耗非常低,有助于提高整体电路效率。

    - 高额定电流:STD17NF03LT4的最大连续漏极电流为17安培(A),能够处理较大电流,适用于高功率应用。

    - 高击穿电压:STD17NF03LT4的最大漏源击穿电压为30伏(V),能够在较高电压环境下工作,适应更多应用场景。

    - 快速开关速度:STD17NF03LT4的开关速度快,能够在短时间内完成开关操作,提高电路的响应速度和效率,适用于高频应用。

    - 热性能优良:STD17NF03LT4采用DPAK封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作,确保器件的可靠性和使用寿命。

    综上所述,STD17NF03LT4是一款高效、低损耗的N沟道增强型功率MOSFET,因其低导通电阻、高额定电流、高击穿电压、快速开关速度和优良的热性能,在电源管理、电机控制、电池管理系统、LED驱动和通信设备等多个领域得到广泛应用。这些特点使STD17NF03LT4成为各类高效能电子设备中的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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