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场效应MOS管STD16NE10LT4参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD16NE10LT4是一种N沟道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于电源管理和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:在DC-DC转换器中,STD16NE10LT4常用于同步整流和负载开关。它的低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地处理电源转换,减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电动机驱动:在电动机控制电路中,STD16NE10LT4可用作电动机驱动器件。其高电流处理能力和耐高压特性,使其在高功率电动机控制中表现优越,确保稳定性和可靠性。

    3. 消费电子:在消费电子产品如笔记本电脑、智能手机和电视中,STD16NE10LT4被用于电池管理系统、充电器和功率控制模块。它的高效开关特性和热性能管理,使其在这些应用中能有效降低功耗和热量。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STD16NE10LT4被用于电源开关和负载驱动器。其高耐压和高电流处理能力,确保在工业环境中的可靠运行。

    5. 通信设备:在通信设备如基站和路由器中,STD16NE10LT4被用于功率放大器和稳压器中。其优异的电气特性和可靠性,确保通信设备的高效运行和长寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD16NE10LT4的最大导通电阻为160毫欧姆(在VGS=10V时)。这种低导通电阻能够降低导通损耗,提高整体效率。

    - 电流处理能力:STD16NE10LT4具有高达16A的连续漏极电流能力(在25°C时),这使其能够处理高电流应用,提供稳定的电流输出。

    - 耐压能力:STD16NE10LT4的漏源极耐压(VDSS)为100V,确保其在高电压环境下的可靠性。这使其适用于需要高电压耐受的应用场景,如电源管理和工业控制。

    - 开关速度:STD16NE10LT4具有快速的开关速度,其栅极电荷(Qg)为40nC。这种快速开关特性使其在高频应用中表现优越,如DC-DC转换器和电动机驱动。

    - 热性能:STD16NE10LT4具有良好的热性能管理,其最大结温(Tj)为175°C,并配备有增强的散热设计。这确保了其在高温环境中的稳定运行,延长了器件寿命。

    综上所述,STD16NE10LT4以其低导通电阻、高电流处理能力、优良的耐压性能、快速的开关速度和优异的热性能,成为各种电源管理和开关电路中的理想选择。在多个应用场景中,它都展现出色的性能和可靠性,确保系统的高效和稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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