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场效应MOS管STD150NH02L-1参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:150AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0035ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD150NH02L-1是一款N沟道功率MOSFET,其广泛应用于多种领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD150NH02L-1被用于直流-直流转换器、开关电源和电池管理系统,这些应用需要高效的开关性能和低导通电阻。

    2. 汽车电子:STD150NH02L-1常用于电子控制单元(ECU)、电动机控制以及其他需要高电流处理能力的模块。

    3. 工业自动化设备:在可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器中,STD150NH02L-1发挥着重要作用,这些设备需要稳定的电流和电压控制。

    4. 消费电子产品:在智能手机、笔记本电脑和其他便携设备中,STD150NH02L-1用于电源管理和保护电路,确保设备在各种工作条件下的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD150NH02L-1具有极低的导通电阻,典型值为0.004Ω,使其在导通状态下具有非常低的功率损耗,提高了整个系统的效率。

    - 高电流处理能力:它能够处理高达150A的连续漏极电流,适用于需要大电流传输的应用场景。

    - 耐高压性能:该器件的漏源极击穿电压(VDSS)为24V,可以在高电压环境下稳定运行。

    - 快速开关速度:STD150NH02L-1具有快速的开关特性,开关时间在纳秒级别,非常适合高频切换的应用。

    - 热性能:其设计中考虑了出色的热性能,具备良好的散热能力,即使在高功率应用中,STD150NH02L-1也能保持较低的结温,延长器件的使用寿命并确保系统的可靠性。

    综上所述,STD150NH02L-1是一款性能优越的功率MOSFET,在电源管理、汽车电子、工业自动化和消费电子产品等领域有着广泛的应用。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压性能以及快速开关速度使其成为各类高要求应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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