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场效应MOS管STD10NF10T4参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.13ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD10NF10T4是一款 N 沟道 MOSFET,具有多种应用场景和参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD10NF10T4在电源开关和 DC-DC 转换器中,能够提供高效的功率转换和电压调节功能,适用于各种类型的电源管理应用。

    2. 电机驱动:作为电机驱动器件,STD10NF10T4具有低导通电阻和快速开关特性,适用于直流电机、步进电机等各种电机驱动系统。

    3. 照明控制:在 LED 驱动和照明控制系统中,STD10NF10T4可以实现高效的功率转换和精确的亮度调节,提升照明系统的性能和稳定性。

    4. 电子开关:作为电子开关元件,STD10NF10T4具有低开通电阻和快速的开关速度,适用于各种类型的电路开关和电子控制系统。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STD10NF10T4具有较低的导通电阻,能够降低功率损耗和提高效率,在各种应用场景下能够实现更高的性能。

    2. 高耐压能力:该器件具有较高的耐压能力,能够在高压环境下稳定工作,适用于各种工业和汽车电子应用。

    3. 快速开关速度:STD10NF10T4具有快速的开关速度,能够实现快速的电路响应和高频率操作,提高系统的动态性能。

    4. 温度稳定性:该器件具有良好的温度稳定性,能够在广泛的温度范围内保持稳定的性能,适用于各种恶劣环境下的应用场景。

    5. 可靠性高:STD10NF10T4经过严格的质量控制和可靠性测试,具有优异的可靠性和长期稳定性,能够满足各种工业和商业应用的需求。

    综上所述,STD10NF10T4作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有广泛的应用场景和优秀的参数特点,为电子系统的设计和优化提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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