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场效应MOS管STD100NH03LT4参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD100NH03LT4是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关的电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STD100NH03LT4因其低导通电阻和快速开关速度,被用来提升电源转换效率,减少功率损耗,提高整体系统的可靠性和稳定性。

    2. 电动工具:由于其耐高压和高电流特性,STD100NH03LT4适用于各种电动工具中,能够有效提高工具的使用寿命和工作效率。

    3. 汽车电子:在汽车电子系统中,STD100NH03LT4被用于电动助力转向、电子制动系统等高要求的场景中,保证系统的高效稳定运行。

    4. 照明设备:在LED驱动电路中,STD100NH03LT4用于调节电流,提供稳定的电源供应,从而延长LED灯的使用寿命。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能转换系统中,STD100NH03LT4被用于最大功率点跟踪(MPPT)和电源转换,提升系统的能效。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD100NH03LT4的导通电阻非常低,在10V栅极驱动电压下,RDS(on)典型值为0.0036Ω。这意味着它在开关时产生的功率损耗极低,有助于提高整个系统的能效。

    - 高电流处理能力:该MOSFET的连续漏极电流(ID)高达100A,脉冲电流(IDM)更高。这使得STD100NH03LT4可以在高电流需求的应用中可靠工作。

    - 耐高压:STD100NH03LT4的漏源极击穿电压(VDS)为30V,能够在较高电压条件下工作,适用于需要高电压耐受的应用场景。

    - 快速开关特性:该MOSFET的栅极电荷(Qg)和开关时间都非常短,这使得STD100NH03LT4能够实现快速的开关动作,减少开关损耗。

    - 优异的热性能:STD100NH03LT4具有较低的热阻(RθJC),这意味着在高功率应用中,它能够有效地散热,保持稳定的工作温度,延长器件寿命。

    综上所述,STD100NH03LT4在性能和参数上的优越性使其成为各种高效、高可靠性电子设备和系统的理想选择。通过深入了解其应用场景和参数特点,设计人员可以更好地利用STD100NH03LT4的优势,提升产品的性能和市场竞争力。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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