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场效应MOS管STD100N3LF3参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0068ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD100N3LF3是一种高效能的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和直流-直流转换器中,STD100N3LF3提供高效率的电能转换,减少能量损耗,提高设备的能源利用率。

    2. 电动工具:STD100N3LF3在电动工具中被用作驱动元件,能够承受高电流和高压环境,确保设备在高负荷下稳定运行。

    3. 汽车电子:STD100N3LF3常用于汽车电子系统中,如电动窗控制、电动座椅调节等,保证系统的高可靠性和耐用性。

    4. 工业控制:在工业自动化设备中,STD100N3LF3被用来驱动各种电机和执行机构,提供精准的控制和快速的响应能力。

    5. 消费电子:在智能家居设备、移动电源等消费电子产品中,STD100N3LF3提供高效的电力控制和转换功能,提升产品的性能和用户体验。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STD100N3LF3具有极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中具有极低的功耗和发热量,提升了整体电路的效率。

    2. 高击穿电压:STD100N3LF3的击穿电压为30V,能够在多种应用中提供足够的电压裕度,保证系统的安全和可靠性。

    3. 大电流处理能力:STD100N3LF3的最大连续漏极电流(ID)为100A,适用于需要处理大电流的应用场景,如电动工具和电动汽车等。

    4. 快速开关速度:STD100N3LF3具有快速的开关速度,这对于开关电源和高速开关应用非常重要,能够显著提高系统的动态响应能力和效率。

    5. 低栅极电荷(Qg):STD100N3LF3的栅极电荷较低,这意味着在驱动时需要的能量较少,有助于降低驱动电路的功耗和复杂度。

    综上所述,STD100N3LF3作为一种高性能、高可靠性的功率MOSFET,具备广泛的应用场景和卓越的参数特点,能够满足各种复杂应用的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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