PD最大耗散功率:18WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.165ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,SSR3055LATF经常被用作开关元件。这是由于其低导通电阻和快速开关特性,可以有效提高电源转换效率,减少能量损耗。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,SSR3055LATF被用来控制电流和电压,从而实现对电机的精准控制。其高电流处理能力和高耐压特性使其非常适合这一领域的应用。
3. 自动化控制系统:在工业自动化设备中,SSR3055LATF被用于各种控制电路和保护电路中。其高可靠性和稳定性可以保证设备长期稳定运行,减少维护成本。
4. 消费电子:在家用电器、电脑外设和其他消费电子产品中,SSR3055LATF被广泛应用于电源管理和控制电路中。它的小尺寸和高效性能使其成为这些应用的理想选择。
5. 照明系统:在LED驱动电路和其他照明控制系统中,SSR3055LATF也发挥着重要作用。其高效能和可靠性可以提高照明系统的性能和寿命。
二、参数特点:
- 低导通电阻:SSR3055LATF的典型导通电阻为0.1欧姆,这使其在开关时的能量损耗非常低,有助于提高系统的整体效率。
- 高电流处理能力:SSR3055LATF的最大连续漏极电流为9安培,这使其能够处理较大的电流,适用于高功率应用场景。
- 高耐压性:SSR3055LATF的漏源极电压最高可达60伏,能够在较高电压环境下稳定工作,保证电路的安全性和稳定性。
- 快速开关特性:SSR3055LATF具有快速的开关速度,其开关时间通常在纳秒级别,这对于需要快速响应的应用场景非常重要,如开关电源和高频变换器。
- 增强型结构:SSR3055LATF采用N沟道增强型结构,这种结构具有较高的电子迁移率和良好的热稳定性,使其在高温环境下也能保持良好的性能。
综上所述,SSR3055LATF是一种高效能、高可靠性的N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种应用场景,如电源管理系统、电机驱动、自动化控制系统、消费电子和照明系统。其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压性、快速开关特性和增强型结构使其成为各种高性能电子设备的理想选择。
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